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爬行腐蚀机理、影响因素及其防护措施

嘉峪检测网        2020-10-20 15:55

问题的提出

 

先来看两个失效案例:

 

1. 一批运行了相当一段时间后的用户单板中,发现其中6块单板过孔上发黑而导致工作失常,如图1所示。

爬行腐蚀的机理和影响因素以及对爬行腐蚀的防护措施

图1 电容、电阻端子焊点发黑

 

2. 一批PCBA在运行了一段时间后出现了4块因电阻排焊盘和焊点发暗而导致电路工作不正常,如图2所示。

爬行腐蚀的机理和影响因素以及对爬行腐蚀的防护措施

图2 电阻排焊盘和焊点发暗

不管是失效的电容、电阻还是电阻排,端子接口的位置都检测到大量硫元素的存在。对失效样品上残留的尘埃进行检测也发现硫元素含量很高。因此,从现象表现和试验分析的结果看,造成故障的原因是应用环境中的硫浸蚀。

 

爬行腐蚀的机理

 

爬行腐蚀发生在裸露的铜表面上。铜表面在含硫物质(单质硫、硫化氢、硫酸、有机硫化物等)的作用下会生成大量的硫化物。

铜的氧化物是不溶于水的。但是铜的硫化物和氯化物却会溶于水,在浓度梯度的驱动下,具有很高的表面流动性。生成物会由高浓度区向低浓度区扩散。硫化物具有半导体性质,且不会造成短路的立即发生,但是随着硫化物浓度的增加,其电阻会逐渐减小并造成短路失效。

此外,该腐蚀产物的电阻值会随着温度的变化而急剧变化,可以从10MΩ下降到1Ω。湿气(水膜)会加速这种爬行腐蚀:硫化物(如硫酸、二氧化硫)溶于水会生成弱酸,弱酸会造成硫化铜的分解,迫使清洁的铜面露出来,从而继续发生腐蚀。显然湿度的增加会加速这种爬行腐蚀。据有关资料报道,这种腐蚀发生的速度很快,有些单板甚至运行不到一年就会发生失效,如图3、图4所示。

爬行腐蚀的机理和影响因素以及对爬行腐蚀的防护措施

图3 电阻排焊点的爬行腐蚀

爬行腐蚀的机理和影响因素以及对爬行腐蚀的防护措施

图4 PTH过孔上的爬行腐蚀

 

爬行腐蚀的影响因素

 

1. 大气环境因素的影响

 

作为大气环境中促进电子设备腐蚀的元素和气体,被列举的有SO2、NO2、H2S、O2、HCl、Cl2、NH3等,腐蚀性气体成分的室内浓度、蓄积速度、发生源、影响和容易受影响的材料及容许浓度如表1所示。上述气体一溶入水中,就容易形成腐蚀性的酸或盐。

表1

爬行腐蚀的机理和影响因素以及对爬行腐蚀的防护措施

 

2. 湿度

根据爬行腐蚀的溶解/扩散/沉积机理,湿度的增加应该会加速硫化腐蚀的发生。Ping Zhao等人认为,爬行腐蚀的速率与湿度成指数关系。Craig Hillman等人在混合气体实验研究中发现,随着相对湿度的上升,腐蚀速率急剧增加,呈抛物线状。以Cu为例,当湿度从60%RH增加到80%RH时,其腐蚀速率后者为前者的3.6倍。

 

3. 基材和镀层材料的影响

Conrad研究了黄铜、青铜、CuNi三种基材,Au/Pd/SnPb三种镀层结构下的腐蚀速率,实验气氛为干/湿硫化氢。结果发现:基材中黄铜抗爬行腐蚀能力最好,CuNi最差;表面处理中SnPb是最不容易腐蚀的,Au、Pd表面上腐蚀产物爬行距离最长。

 

Alcatel-Lucent、Dell、Rockwell Automation等公司研究了不同表面处理单板抗爬行腐蚀能力,认为HASL、Im-Sn抗腐蚀能力最好,OSP、ENIG适中,Im-Ag最差。

 

Alcatel-Lucent认为各表面处理抗腐蚀能力排序如下:

ImSn~HASL5ENIG>OSP>ImAg

化学银本身并不会造成爬行腐蚀。但爬行腐蚀在化学银表面处理中发生的概率却更高,这是因为化学银的PCB露铜或表面微孔更为严重,露出来的铜被腐蚀的概率比较高。

 

4. 焊盘定义的影响

Dell的Randy研究认为,当焊盘为阻焊掩膜定义(SMD)时,由于绿油侧蚀存在,PCB露铜会较为严重,因而更容易腐蚀。采用非阻焊掩膜(NSMD)定义方式时,可有效提高焊盘的抗腐蚀能力。

 

5. 单板组装的影响

① 再流焊接:再流的热冲击会造成绿油局部产生微小剥离,或某些表面处理的破坏(如OSP),使电子产品露铜更严重,爬行腐蚀风险增加。由于无铅再流温度更高,故此问题尤其值得关注。

② 波峰焊接:据报道,在某爬行腐蚀失效的案例中,腐蚀点均发生在夹具波峰焊的阴影区域周围,因此认为助焊剂残留对爬行腐蚀有加速作用。其可能的原因是:

●助焊剂残留比较容易吸潮,造成局部相对湿度增加,反应速率加快;

●助焊剂中含有大量污染离子,酸性的H+还可以分解铜的氧化物,因此也会对腐蚀有一定的加速作用。

 

对爬行腐蚀的防护措施

 

随着全球工业化的发展,大气将进一步恶化,爬行腐蚀将越来越受到电子产品业界的普遍关注。归纳对爬行腐蚀的防护措施主要有:

 

(1)采用三防涂敷无疑是防止PCBA腐蚀的最有效措施;

(2)设计和工艺上要减小PCB、元器件露铜的概率;

(3)组装过程要尽力减少热冲击及污染离子残留;

(4)整机设计要加强温、湿度的控制;

(5)机房选址应避开明显的硫污染。

 

爬行腐蚀、离子迁移枝晶及CAF等的异同

 

马里兰大学较早研究了翼型引脚器件上的爬行腐蚀,并对腐蚀机理进行了初步的探讨。与离子迁移枝晶、CAF类似,爬行腐蚀也是一个传质的过程,但三者发生的场景、生成的产物及导致的失效模式并不完全相同,具体对比如表2所示。

表2

爬行腐蚀的机理和影响因素以及对爬行腐蚀的防护措施

爬行腐蚀的现象明确,只要我们提高对产品质量的重视程度,采取适当的措施是完全可以避免的。从这个意义上可以说爬行腐蚀是低质伪劣电子产品的特征。

爬行腐蚀的机理和影响因素以及对爬行腐蚀的防护措施

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来源:腐蚀与防护