芯片的寿命试验HTOL（high temperature operation life）测试，曾经被认为某个芯片通过了HTOL 测试之后，就能够达到10年的寿命要求，其实不然。主要原因如下：

1）失效机理的影响：我们把引起芯片电路失效的几个失效机理一一列出来看看，分析一下他们的加速系数就可以看到，芯片HTOL测试其实并不是都能够在1000小时，vddmax，125c条件下能够加速到10年。如下图所示，EM和BEOL TDDB的加速系数都很小，粗略估计1000小时，就等于2年不到的寿命。因此，HTOL是无法发现芯片在EM和BEOL TDDB设计问题。因此芯片的EM和BEOL TDDB是通过可靠性仿真来保证的。

2）测试覆盖率的影响：HTOL的测试覆盖率不高，更别说做到100%了。由于试验设备的限制，HTOL的测试覆盖率比ATE测试机台低得多。只能跑部分ATE的向量。因此这个时候就需要通过可靠性仿真来补足。

3）对于模拟电路，HTOL无法通过抬升电压来加速1000小时到10年的寿命。因为模拟电路的直流工作点不能抬升太多，否则无法正常翻转。这样HTOL只能在接近正常工作电压下做测试，相对于数字电路能够升压到1.4vdd下测试，模拟电路做HTOL的意义不大。只能通过可靠性仿真来保证。

可以说芯片可靠性有80%以上是通过仿真来保证的。这样做HTOL有什么用？

我们来看看下面的电路，先看左边的电路，MOS在HCI的作用下管子的vth增加，vth增加会引起MOS两端的电压vds增加，vds增加又加速了HCI效应。这样形成了一个正反馈的退化作用。由于仿真的模型是用单个MOS device测试出来的，没有考虑实际电路中这种情况，因此仿真结果会过于乐观。右边的电路也类似，因此，这个时候就需要HTOL来发现电路中的这种风险。

总结，如下表所示：每一种失效机理都有对应的仿真手段和测试方法，需要相互搭配使用，才能完成对芯片的可靠性保证。