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芯片封装中引线键合互连特性分析

嘉峪检测网        2021-07-07 13:38

摘要:

 

      研究了芯片封装中键合线的建模和模型参数提取方法。根据二端口网络参量,提出了单键合线的"型等效电路并提取了模型中的R、L和C参量。最后,设计出一个简单、低成本的测试结构验证了仿真分析结果。

 

1、引言

 

      随着集成电路(IC)工作频率或速度不断提高以及产品小型化的要求,封装成为高频集成电路设计的瓶颈,它在信号完整性、损耗等多方面影响电路的特性。芯片与引线框架的互连技术是IC封装中极为关键的工艺步骤。虽然目前已经开发了很多新的互连结构,例如互连点、凸点、按键结构、弹簧结构和柱状结构等,但是IC市场上引线键合技术因为其低成本和可靠的制造技术仍占主要地位。

 

      IC发展对引线键合技术的挑战日益增大,尤其是在高速电子产品和射频(RF)产品上,因此,人们越来越关心封装键合线的高频性能。本文主要研究了键合线的Spice模型和模型参数提取方法,建立了单个键合线的Ⅱ型等效电路,给出了根据二端口S参数提取键合线等效电路模型中的R、L和C真参量值的方法。为了去除测试结构对键合线的影响,准确地获得键合线的S参数,在电路仿真和测试中使用了去嵌入(de-embedding)技术。最后设计了一个简单的低成本的测试结构,比较验证了仿分析结果。

 

2、键合线模型

 

      目前,全波分析方法被广泛应用在互连结构建模中。本文采用了HFSS全波分析软件来仿真键合线的电特性。键合线等效电路模型可以用图1所示的二端口网络来表征。图中,R1和R2代表终端阻抗,C1和C2为终端电容,R为键合线的电阻,并表示为:

 

芯片封装中引线键合互连特性分析

 

      根据Ⅱ型网和Y参数矩阵的关系,可以得到:

芯片封装中引线键合互连特性分析

 

芯片封装中引线键合互连特性分析

 

      以上分析可见,若已知键合线二端口网络的Y参数矩阵,即导纳参数矩阵,就可以分别计算出网络中的电阻、电容和电感量。在确定的特征阻抗下(一般取特征阻抗为50Ω),Y参数与S参数间存在确定的转换关系。因此,通过全波分析软件仿真键合线的S参数就可以获得需要的模型参数。图2给出了HFSS环境下键合线S参数仿真结构示意图。图中,在FR-4基板上放置着两段金属线,一根直径为1mil,长度为2毫米的铝丝键合线用于连接这两段金属。图3是该结构的S参数仿真结果。

 

芯片封装中引线键合互连特性分析

 

芯片封装中引线键合互连特性分析

 

      图3中仿真的S参数为整个测试结构的,即包含了键合线和两端金属线的总的S参数。为了去除两端金属线的电特性,仅留下键合线的特性,本文采用了开路结构法进行去嵌入(de-embedding)[8]。将两段金属线组成的二端口网络与键合线网络看作两个并联网络,若已知两段金属线组成的网络的Y参数和并联后网络的Y参数,则键合线网络的Y参数可以表示为:

 

芯片封装中引线键合互连特性分析

 

      这样,根据式(6)-(11)可以计算出键合线等效电路中的每个参量。计算得到的参量R和L是频率的函数,这样,式(1)、(2)中R和L的系数可以利用Matlab®软件中的曲线拟和函数计算出来,表1给出了曲线拟和结果。

 

芯片封装中引线键合互连特性分析

 

3、制造和测量

 

      图5给出了图2所示测试结构的实物照片,其中,铝丝键合线使用ASMAB510半自动铝丝键合机来实现。工作频率范围在10MHz~6GHz的矢量网络分析仪E8357A经过校准后,分别测试出整个测试结构和开路结构的S参数。最后,根据本文第二部分的公式得到单根键合线实测的S参数以及相应的模型参数。图5比较了单根键合线仿真和实测的传输损耗曲线。表2列出了根据测试数据得到的单根键合线模型拟和参数。

 

芯片封装中引线键合互连特性分析

 

芯片封装中引线键合互连特性分析

 

芯片封装中引线键合互连特性分析

 

4、结论

 

      在未来很多年内,引线键合技术可能还会是最主要的互连方法。然而,高I/O数、高性能器件的使用给引线键合技术带来了很多挑战。本文通过全波分析软件仿真分析了键合线特性,介绍了键合线等效电路模型及模型参数提取方法。这样,电路设计者可以进行芯片-封装协同设计,在电路仿真阶段就考虑到封装效应,并在设计中有根据的考虑设计余量,从而有根据的预测封装后的电路特性。

 
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来源:电子制造资讯站