最近做了一款正激有源钳位电源，DC48输入，DC28V输出，功率200W，频率100K。下边分别说说MOS管的差异

1.主MOS管用的IRF640，钳位管也用的IRF640 ,输出整流管用的MBR20200；实测效率满载87.5%。IRF640的主要参数

2.正好参加了元器件网的特约评论员活动，给了几片英飞凌的IPA075N15N3 G,在此先谢谢元器件网及源源。拿到手了就想换上去看看有啥区别，就把主MOS管换了个075N15，结果还真不一样，满载效率直接上升3个百分点，到了90.5%。再把IPA075N15N3 G的主要参数放上来

先从原理上分析下

1.第一种情况，IRF640的总输入功率Pin640=200/0.875=228.5W，输入电流Iin640=228.5/48=4.76A，导通损耗Pd640=4.76*4.76*0.18（IRF640的导通内阻）*ton

2.第二种情况，075N15的总输入功率PinN15=200/0.905=221W，输入电流IinN15=221/48=4.6A，导通损耗PdN15=4.6*4.6*0.0075*ton

3.两个导通损耗相差Pd=Pd640 -PdN15 两个的总功率相差P=228.5-221=7.5W

两个的开关损耗相差Pk=P-Pd

以上所算的都是大概值，因开关损耗的算法比较繁琐，这就不算了，好多电源资料上都有。米勒电容主要影响开关速度，他里边所存的电量会和变压器漏感，还有MOS的一些寄生参数，PCB的一些寄生参数等产生谐振，影响效率。所以应选择米勒电容比较小的MOS，从测试的波形可以形象的表达出来！

这个是640的

这个是IPA075N15N3 G的

这个从原理上我感觉最简单的就是加电测量了吧，给VGS加个10V电压，给DS之间加个恒流源测试DS之间的压差！我倒是没有实际测量过

先从导通内阻说起吧

大家都知道，一般情况下电压越高，导通内阻越大。这个就和MOS的制作工艺有关系了，为了保证足够大的漏源击穿电压Vds，需要有高电阻率外延层，这会使MOS的导通电阻增大。

根据选择的拓扑选择合适的MOS管及吸收电路，再保证高端Vds不超的情况下，尽量选择耐压低的管子，耐压高的管子一般会很贵，品种单一没有耐压低的可选性多，而且效率不好提升。

耐压相同的管子一般情况下，导通内阻越小价格越高，根据自己的实际使用，在性价比中尽量折中。尽量把鱼和熊掌全得到！

栅源电压Vgs的选择对导通电阻也有影响，电压越高导通越好，导通程度越好，内阻越小，但随着栅源电压Vgs的升高，开关速度会降低，这个以后说；还有可能导致栅源电压Vgs击穿，器件失效。栅源电压越低，导通越差，内阻越大，效率越低。所以建议大家选取栅源电压Vgs为10V-18V之间。

做好散热，导通内阻随着温度的升高而增大，所以要把热设计搞好，温升尽量的低，效率尽量的高。

这个在管子的datasheet里边都有体现，下边咱看下075N15的

栅源电压不同，导通内阻也不一样。

这个虽然没有直接标出导通内阻，但从电流上可以体现出来，温度升高电流减小，输入电压不变说明内阻增大。

以上所说，希望对大家在以后选取MOS时有些帮助

再说下MOS管的寄生电容对效率的影响把，这个涉及的比较多了。咱一切从简单的说，以照顾新人为主，好多大侠比我还懂！

大家知道MOS的极间电容直接影响其开关特性，其等效电路如图

输入电容Ciss=Cgs+Cdg （D,S短接），输出电容Coss=Cds+Cgd（G,S短接）

反馈电容Crss=Cgd（也叫米勒电容）

以上是MOS管的电容特性，有定义Q=C*V可得，在电压一定时，电容量越小，Qg越小。

而Qg为栅极的总电荷量，Qgs为栅源极间的电荷量，Qgd为栅漏极间的电荷量。再根据公式t=Q/I得，当电流一定时，Q越小，时间越短，即开关速度越快，开关损耗越小。

所以在选取MOS时尽量选取Qg小的，以减小开关损耗。

而Qgs主要影响开启时间，Qgd主要影响关断时间。

1.在两个MOS管的耐压及电流一定时，选取Qg小的MOS；

2.如我上边的波形及两个资料来看，在Qg一样时要选取Qgd小的MOS。

3.根据自己的实际功率选择合适的MOS，一般情况下内阻越小，Qg越大；Vds越小，Qg越 大。

4.根据实际频率选择合适MOS，频率越高开关损耗越大，这个时候可能你的开关损耗越大 于你的导通损耗，这时要适当的选择内阻大点的MOS，以提升开关损耗；

5.尽量选择贴片的MOS，这样MOS的引脚短，引脚上的寄生电感等参数会小的多，减小损耗！

开启速度可以在你的PWM到你的栅极加个电阻限制下电流，但关断速度就全靠你管子的寄生电容参数了。这个一般我会看Qgd，就像我上边波形显示的一样，那个Qgd大的640关断波形和速度就是没075N15的快，所以这就和你选择管子有关系了。你说的“我觉得还是应该看你的开关管漏端电压的下降/上升和开关管电流的上升/下降时间的交叠时间吧，你开得快，交叠时间多；和你开得慢，交叠时间少”是对的，但你可以通过选择MOS管的寄生电容尽量的去减小你的交叠时间，去提高效率。软开关不也是刻意去改变管子的导通关断，去实现零电压或零电流，这也是软开关技术效率高的原因之一吧！

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