本文介绍了半导体FEoL阶段的非易失性存储器数据保持模型研究。

2024/10/18 更新 分类：科研开发 分享

本文介绍了半导体器件FEoL阶段的局部电荷捕获非易失性存储器数据保持模型研究。

2024/10/20 更新 分类：科研开发 分享

本文介绍了半导体制造领域中粒子缺陷（Particle Defect）的成因、影响及检测方法。

2024/11/01 更新 分类：科研开发 分享

本文介绍了半导体失效之铜电迁移（Cu EM）模型研究。

2024/11/03 更新 分类：科研开发 分享

本文介绍了半导体器件铝和铜腐蚀失效机理和模型。

2024/11/13 更新 分类：科研开发 分享

本文介绍了半导体器件铜应力迁移失效机理和模型。

2024/11/20 更新 分类：科研开发 分享

按照导电性能，材料一般可以分为绝缘体、半导体、导体和超导体。典型的导体，如金属具有大量自由电子，自由电子可以定向移动从而形成电流。绝缘体几乎没有可移动电子，不具备导电性能。

2022/12/10 更新 分类：科研开发 分享

近日，国家药监局批准了西安蓝极医疗电子科技有限公司的半导体激光治疗仪注册，本文主要介绍半导体激光治疗仪在临床前研发阶段做了哪些实验。局 一、 半导体激光治疗仪的 结构

2021/11/18 更新 分类：科研开发 分享

来自山东大学的高学平和张爱敏两位研究人员在半导体材料表征中遇到能谱测试结果异常现象，异常现象产生原因可能与加速电压、电子束流、元素含量、原子序数、设备灵敏度等多种因素有关。为了准确了解异常现象产生的原因，并提出合理的解释，研究人员利用原子力显微镜(AFM)，蒙特卡洛模拟(Monte Carlo Simulation)软件以及扫描电镜配置的能谱仪等设备对此异常现象进行了分析

2020/10/14 更新 分类：实验管理 分享

碳化硅(SiC)被认为是半导体材料中最具有前途的材料之一

2019/02/22 更新 分类：科研开发 分享