江苏龙源催化剂有限公司分析测试中心

检测项：粒度 检测样品：偏钒酸铵 标准：气体吸附BET法测定固态物质比表面积 GB/T 19587-2004

检测项：含量 检测样品：偏钒酸铵 标准：样品制备-粉末在液体中的分散方法 GB/T 20099-2006

检测项：含量 检测样品：偏钒酸铵 标准：化学试剂 偏钒酸铵HG/T3445-2003

机构所在地：江苏省无锡市 更多相关信息>>

龙岩盛丰机械制造有限公司检测中心

检测项：硅 （Si） 检测样品：金属 材料 标准：碳素钢和中低合金钢 火花源原子发射光谱分析方法（常规法）GB/T 4336-2002

检测项：钼 （Mo） 检测样品：金属 材料 标准：碳素钢和中低合金钢 火花源原子发射光谱分析方法（常规法）GB/T 4336-2002

检测项：钒 （V） 检测样品：金属 材料 标准：碳素钢和中低合金钢 火花源原子发射光谱分析方法（常规法）GB/T 4336-2002

机构所在地：福建省龙岩市 更多相关信息>>

上海航天设备制造总厂试验中心

检测项：硅 检测样品：铝和铝合金 标准：碳素钢和中低合金钢 火花源原子发射光谱分析法（常规法） GB/T4336-2002

检测项：钛 检测样品：铝和铝合金 标准：碳素钢和中低合金钢 火花源原子发射光谱分析法（常规法） GB/T4336-2002

检测项：铝 检测样品：铝和铝合金 标准：碳素钢和中低合金钢 火花源原子发射光谱分析法（常规法） GB/T4336-2002

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

山东绿叶制药有限公司质量控制部

检测项：溶化性 检测样品：药品 标准：中国药典2010年版二部附录ⅠN/一部附录ⅠC

检测项：外观均匀度 检测样品：药品 标准：中国药典2010年版二部附录ⅠP/一部附录ⅠB

检测项：吸光度 检测样品：药品 标准：中国药典2010年版二部附录IVA/一部附录V A

机构所在地：山东省烟台市 更多相关信息>>

南金兆集团有限公司化验中心

检测项：硅 检测样品：钢铁材料 标准：碳素钢和中低合金钢 火花源原子发射光谱分析方法 （常规法） GB/T 4336-2002

检测项：锰 检测样品：钢铁材料 标准：碳素钢和中低合金钢火花源原子发射光谱分析方法 （常规法） GB/T 4336-2002

检测项：磷 检测样品：钢铁材料 标准：碳素钢和中低合金钢火花源原子发射光谱分析方法 （常规法） GB/T 4336-2002

机构所在地：山东省淄博市 更多相关信息>>

中达电通股份有限公司实验室

检测项：源效应 检测样品：通信用电源系统 标准：通信用高频开关电源系统 YD/T 1058-2007

检测项：源效应 检测样品：通信用电源模块/ 通信用电源设备 标准：通信用直流---直流变换设备 YD/T 637-2006 通信用高频开关整流器 YD/T 731-2008 通信用逆变设备 YD/T 777-2006 通信用高频开关电源系统 YD/T 1058-2007

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

广州市盛通建设工程质量检测有限公司

检测项：告警信息读取功能（告警源、告警类型、告警级别、告警信息描述） 检测样品：计算机网络系统 标准：不测： 7类线

机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>

河冶科技股份有限公司检测室

检测项：Si 检测样品：金属与合金 标准：《碳素钢和中低合金钢火花源原子发射光谱分析方法（常规法）》GB/T 4336-2002

检测项：Mn 检测样品：金属与合金 标准：《碳素钢和中低合金钢火花源原子发射光谱分析方法（常规法）》GB/T 4336-2002

检测项：P 检测样品：金属与合金 标准：《碳素钢和中低合金钢火花源原子发射光谱分析方法（常规法）》GB/T 4336-2002

机构所在地： 更多相关信息>>

南阳二机石油装备（集团）有限公司实验室

检测项：碳含量 检测样品：金 属 材 料 及 制 品 标准：碳素钢和中低合金钢火花源原子发射光谱分析方法(常规法) GB/T4336-2002

检测项：硅含量 检测样品：金 属 材 料 及 制 品 标准：碳素钢和中低合金钢火花源原子发射光谱分析方法(常规法) GB/T4336-2002

检测项：硅含量 检测样品：金 属 材 料 及 制 品 标准：碳素钢和中低合金钢火花源 原子发射光谱分析方法(常规法) GB/T4336-2002

机构所在地：河南省南阳市 更多相关信息>>

上海华岭集成电路技术股份有限公司检测中心

检测项：栅源漏电流 检测样品：电子元器件 标准：半导体器件测试方法 MIL-STD-750F:2012 方法3411.1

检测项：截止态源极漏电流 检测样品：集成电路A/D和D/A转换器 标准：集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理　 SJ 20961-2006

检测项：栅源击穿电压 检测样品：VDMOS管 标准：半导体器件测试方法 MIL-STD-750F:2012 方法3401.1

机构所在地：上海市 更多相关信息>>