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检测项:漏源击穿电压V(BR)DSS 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
检测机构:国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>
检测项:零栅压时的漏极电流IDSS 检测样品:场效应管 标准:《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》 GB/T4586-1994
检测项:S参数 检测样品:场效应晶体管 标准:1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分:场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件
检测项:电压驻波比 检测样品:场效应晶体管 标准:1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分:场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件
检测项:特征频率fT 检测样品:场效应晶体管 标准:1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分:场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件
机构所在地:河北省石家庄市
检测项:发射极-基极截止电流IEBO 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
检测项:基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
机构所在地:上海市
检测项:密封性检查 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:外部目检 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:栅源极截止(漏泄)电流IGSS 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
机构所在地:湖北省孝感市