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防散射滤线栅产品描述:通常由铅条、介质等组成。放置于影像接收面之前,以减少辐射到影像接收面上的散射辐射,从而改善X射线影像对比度的一种装置。 防散射滤线栅预期用途:配合X射线机使用,用于增加X射线影像的对比度。 防散射滤线栅品名举例:防散射滤线栅、乳腺防散射滤线栅 防散射滤线栅管理类别:Ⅱ 防散射滤线栅相关指导原则: 1、含儿科应用...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年03月14日
检测项:工作温度下泄漏电流和电气强度 检测样品:风扇 标准:家用和类似用途电器的安全 第1部分:通用要求GB4706.1-2005
检测项:泄漏电流和电气强度 检测样品:风扇 标准:家用和类似用途电器的安全 第1部分:通用要求GB4706.1-2005
检测项:工作温度下泄漏电流和电气强度 检测样品:家用和类似用途电器的安全通用要求 标准:家用和类似用途电器的安全 第1部分:通用要求GB4706.1-2005
机构所在地:浙江省杭州市 更多相关信息>>
检测项:工作温度下的泄漏电流和电气强度 检测样品:制冷压缩机 标准:ISO917:1989制冷剂压缩机试验
检测项:工作温度下的泄漏电流和电气强度 检测样品:制冷压缩机 标准:ASHRAE 23 2005容积式制冷压缩机和压缩机组性能测试方法
检测项:工作温度下的泄漏电流和电气强度 检测样品:制冷压缩机 标准:GB/T 5773:2004容积式制冷剂压缩机性能试验方法
机构所在地:天津市 更多相关信息>>
检测项:漏电流 检测样品:无源光网络EPON 标准:YD/T 993-2006 电信终端设备防雷技术要求及实验方法
检测项:漏电流 检测样品:基于A-PON传输的光接入网设备 标准:YD/T 993-2006 电信终端设备防雷技术要求及实验方法
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:截止态源级漏电流 IS(off) 检测样品:模拟集成电路 标准:GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》
检测项:零栅压时的漏极电流IDDS 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》
检测项:栅--源击穿电压BVGS 检测样品:晶体二极管 标准:GB4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:漏电电流 检测样品:漏电保护器测试仪 标准:漏电保护器安装和运行GB13955-2005
检测项:漏电电流 检测样品:漏电保护器测试仪 标准:漏电保护器安装和运行 GB13955-2005
检测项:泄漏电流 检测样品:环境试验 标准:电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法试验A:低温 GB/T 2423.1-2008
检测项:截止态源极漏电流 检测样品:半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准:半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 GB/T14114-1993
检测项:正向电流 检测样品:光耦 标准:半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件测试方法GB/T15651.3-2003
检测项:漏电流 检测样品:汽车电气设备 标准:汽车电气设备基本技术条件 QC/T 413-2002
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:截止态源极漏电流IS(off) 检测样品:电压基准 标准:SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范
检测项:正向电流传输比hFE 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:零栅压时的漏极电流IDDS 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:截止态源级漏电流IS(off) 检测样品:模拟/混合集成电路 标准:GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199
检测项:栅--源击穿电压BVGS 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
机构所在地:河南省洛阳市 更多相关信息>>
检测项:正向阈值电压下的输入电流 检测样品:TTL电路 标准:半导体集成电路TTL电路 测试方法的基本原理 SJ/T 10735-1996
检测项:栅-源截止电压VGS(off) 检测样品:场效应管 标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994
检测项:栅-源阈值电压VGS(TO) 检测样品:场效应管 标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:正向压降 检测样品:半导体 二极管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
检测项:共发射极正向电流传输比 检测样品:半导体 晶体三极管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-97
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>