深圳天溯计量检测技术有限公司

检测项：工频耐压 检测样品：直流放电棒 标准：GB13398-2008 带电作业用空心绝缘管/泡沫填充绝缘管和实心绝缘棒

检测项：耐受电压 检测样品：直流高压发生器 标准：DL/T848.1-2004 高压试验装置通用技术条件 第1部分：直流高压发生器

检测项：高压侧电流测量装置 检测样品：直流高压发生器 标准：DL/T848.1-2004 高压试验装置通用技术条件 第1部分：直流高压发生器

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

上海华岭集成电路技术股份有限公司检测中心

检测项：开环电压放大倍数 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 17940-2000

检测项：开环电压放大倍数 检测样品：RF器件 标准：半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 17940-2000

检测项：差分放大器的输出电压范围（仅直流测试） 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 17940-2000

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：放大倍数HFE 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011

检测项：输入低电平 电压 检测样品：运算(电压)放大器 标准：半导体集成电路运算(电压)放大器 测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996

检测项：输出高电平 电压 检测样品：运算(电压)放大器 标准：半导体集成电路运算(电压)放大器 测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

湖南航天管理局计量检测中心

检测项：放大倍数hFE 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件 第9部分：场效应晶体管

检测项：放大倍数hFE 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：漏极截止电流IDSS 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：SJ/T10738-1996 半导体集成电路运算（电压） 放大器测试方法的基本原理

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

南京捷诺环境技术有限公司环境与可靠性检测中心

检测项：显微 组织 检测样品：铁磁 材料 标准：金属显微组织检验方法GB/T13298-1991

检测项：球墨铸铁组织 检测样品：铁磁 材料 标准：球墨铸铁金相检验 GB/T9441-2009

检测项：灰铸铁 组织 检测样品：金属 镀层 标准：灰铸铁金相 B/T7216-2009

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

中色奥博特铜铝业有限公司中心实验室

检测项：晶粒尺寸 检测样品：铜及铜合金 标准：铜及铜合金平均晶粒度测定方法 YS/T 347-2004

检测项：晶粒尺寸 检测样品：铜及铜合金 标准：YS/T347-2004铜及铜合金 平均晶粒度测定方法

机构所在地：山东省临清市 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：放大倍数 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

检测项：电流传输比 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法 SJ2215.10-1982

检测项：正向直流电压 检测样品：二极管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997 半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

西安微电机研究所微电机实验室

检测项：电流过载倍数 检测样品：永磁式 直流伺服 电动机* 标准：永磁式直流伺服电动机通用技术条件 GB/T14817－2008

检测项：电流过载倍数 检测样品：电磁式 直流伺服 电动机* 标准：电磁式直流伺服电动机通用技术条件 GB/T14819－2008

检测项：电流过载倍数 检测样品：印制绕组 直流伺服 电动机* 标准：印制绕组直流伺服电动机通用技术条件 JB/T5868－2004

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第21研究所微特电机产品质量监督检验中心

检测项：电流过载倍数 检测样品：永磁直流伺服电动机 标准：永磁直流伺服电动机通用技术条件GB/T14817-2008

检测项：电流过载倍数 检测样品：交流伺服电动机 标准：交流伺服电动机 通用技术条件GB/T7344-1997

检测项：堵转转矩倍数 检测样品：小功率单相串励电动机 标准：电子类家用电器用电动机通用技术条件 GB/T13537-2009

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：hFE:共发射接法时静态电流放大系数 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>