西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：ICEO:集电极与发射极间反向漏电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCEsat: 集电极与发射极间的饱和压降 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

上海无线电设备研究所环境与检测实验室

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西安东风仪表厂可靠性试验检测中心

检测项：集电极—发射极截止电流 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：集电极—发射极饱和电压 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：集电极—发射极截止电流 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极饱和压降VCE(sat) 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：集电极 –发射极截止电流ICEO 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：集电极-发射极维持电压VCEO 检测样品：DC／DC变换器 标准：SJ 20646-1997《混合集成电路DC／DC变换器测试方法》

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：集电极-发射极截止电流（ICEO） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：集电极发射极饱和电压（VCEsat） 检测样品：电容器 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T 2693-2001

检测项：集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器集电极—发射极反向击穿电压的测试 方法SJ2215.7-1982

检测项：C、B截止电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

检测项：E、B截止电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

西北机电工程研究所检测和校准实验室

检测项：晶体管集电极-发射极击穿电压V(BR)CEX 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997

检测项：反向漏电流IR 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997

机构所在地：陕西省咸阳市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：集电极-发射极击穿电压BVceo 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011

检测项：集电极-发射极反向击穿 电压 检测样品：继电器 标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.7-82

检测项：集电极-发射极饱和电压Vces 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>