云南昆船电子设备有限公司蓝海综合实验中心

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管

机构所在地：云南省昆明市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：集电极-发射极电流 检测样品：整流二极管 标准：GB/T6571-1995半导体器件分立器件和集成电路第2部分整流二极管

检测项：集电极-发射极电流 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

机构所在地：河南省郑州市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

上海无线电设备研究所环境与检测实验室

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：集电极 –发射极截止电流ICEO 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：集电极-发射极维持电压VCEO 检测样品：DC／DC变换器 标准：SJ 20646-1997《混合集成电路DC／DC变换器测试方法》

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：集电极-发射极截止电流（ICEO） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：集电极发射极饱和电压（VCEsat） 检测样品：电容器 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T 2693-2001

检测项：集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器集电极—发射极反向击穿电压的测试 方法SJ2215.7-1982

检测项：C、B截止电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

检测项：E、B截止电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

贵州天义电器有限责任公司电气检测中心

检测项：晶体管电特性测试 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：最大线圈电流 检测样品：继电器、接触器 标准：飞机电磁继电器接触器技术条件HB5523-1980

检测项：二极管电特性测试 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

机构所在地：贵州省遵义市 更多相关信息>>

西北机电工程研究所检测和校准实验室

检测项：晶体管集电极-发射极击穿电压V(BR)CEX 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997

检测项：反向漏电流IR 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997

机构所在地：陕西省咸阳市 更多相关信息>>