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YY/T 1292.1-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第1部分:筛选试验 YY/T 1292.2-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第2部分:胚胎发育毒性试验 YY/T 1292.3-2016医疗器械生殖和发育毒性试验 第3部分:一代生殖毒性试验 YY/T 1292.4-2017医疗器械生殖和发育毒性试验 第4部分:两代生殖毒性试验 查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2022年04月19日
机构所在地:北京市
检测项:输出高电平时电源电流 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法 的基本原理
检测项:输出高电平电压 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:SJ/T 10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理
检测项:输出高电平电压 检测样品:半导体集成接口电路线电路 标准:SJ/T 10803-1996 半导体集成电路线电路测试方法的基本原理
机构所在地:湖北省宜昌市
机构所在地:
检测项:输出高电平电压VOH 检测样品:电压调整器 标准:GB/T 4377-1996《半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理》
检测项:输出高电平阈值电压VOHT 检测样品:电压调整器 标准:GB/T 4377-1996《半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理》
机构所在地:湖北省武汉市
检测项:DC/DC变换器输出纹波电压Vrip 检测样品:晶体谐振器 标准:SJ2052-1982 《30兆赫以下石英谐振器频率和等效电路参数的测量方法》
机构所在地:北京市