中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：输出高电平阈值电压VOHT 检测样品：电压调整器 标准：GB/T 4377-1996《半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理》

检测项：输出低电平阈值电压VOLT 检测样品：电压调整器 标准：GB/T 4377-1996《半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理》

检测项：正向阈值电压下的输入电流IT+ 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：SJ/T10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：栅源阈值电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

检测项：正向栅源漏电流 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：反向栅源漏电流 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：输入正向阈值电压VIT+ 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000

检测项：高温反偏 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：稳态功率 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

上海华岭集成电路技术股份有限公司检测中心

检测项：阈值电压 检测样品：时基电路 标准：半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 GB/T 14030-1992

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：输入正向阈值电压VIT+ 检测样品：数字集成电路 标准：GB/T 17574-1998半导体器件集成电路 第2部分 数字集成电路

检测项：输入负向阈值电压VIT 检测样品：数字集成电路 标准：GB/T 17574-1998半导体器件集成电路 第2部分 数字集成电路

检测项：发射极--基极截止电流IEBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：功能测试棋盘格 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：GB/T 17574－1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》

检测项：功能测试步进 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：GB/T 17574－1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》

检测项：导通电阻路差ΔRON 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：GB/T 17574－1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VCEsat: 集电极与发射极间的饱和压降 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

检测项：hFE:共发射接法时静态电流放大系数 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

检测项：V(BR)DS*:崩潰電壓 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：阈值电压 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法 3404

检测项：阈值电压 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法 3404

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：集电极--基极击穿电压BVCBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》

检测项：发射极--基极击穿电压BVEBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》

检测项：集电极--发射极击穿电压BVCEO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第五十八研究所检测中心

检测项：输入正向阈值电压 检测样品：电子元器件 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.4条

检测项：输入负向阈值电压 检测样品：电子元器件 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.5条

机构所在地：江苏省无锡市 更多相关信息>>