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YY/T 1292.1-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第1部分:筛选试验 YY/T 1292.2-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第2部分:胚胎发育毒性试验 YY/T 1292.3-2016医疗器械生殖和发育毒性试验 第3部分:一代生殖毒性试验 YY/T 1292.4-2017医疗器械生殖和发育毒性试验 第4部分:两代生殖毒性试验 查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2022年04月19日
机构所在地:北京市
检测项:电源端传导骚扰电压 检测样品:*工业,科学和医疗(ISM)射频设备(电磁兼容) 标准:信息技术设备 (ITE)– 测量方法与限值 ICES-003:2012
检测项:*最高输出电平 检测样品:接触式IC卡 标准:识别卡 带触点的集成电路卡第3部分: 电信号和传输协议 GB/T16649.3-2006 ISO/IEC 7816-3-2006
检测项:*输出信噪比 检测样品:接触式IC卡 标准:识别卡 带触点的集成电路卡第3部分: 电信号和传输协议 GB/T16649.3-2006 ISO/IEC 7816-3-2006
机构所在地:上海市
检测项:电源端传导骚扰 (150kHz-30MHz) 检测样品:工业、科学和医疗射频 设备 标准:工业、科学和医疗(ISM)射频设备 电磁骚扰特性 限值和测量方法 GB 4824-2004
机构所在地:浙江省宁波市
检测项:正向电压VF 检测样品:二极管 标准:GB/T6571-1995《半导体分立器件试验第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》
检测项:电流调整率SI 检测样品:二极管 标准:GB/T6571-1995《半导体分立器件试验第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》
机构所在地:湖北省武汉市