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体积电阻率(Volumeresistivity) 也叫体积电阻、体积电阻系数,是表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要指标。表示1cm3电介质对泄漏电流的电阻,单位是Ω·m或Ω·cm。体积电阻率愈大,绝缘性能愈好。 体积电阻率 测试仪器:体积电阻率测定仪 查看详情>>
体积电阻率(Volumeresistivity)
也叫体积电阻、体积电阻系数,是表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要指标。表示1cm3电介质对泄漏电流的电阻,单位是Ω·m或Ω·cm。体积电阻率愈大,绝缘性能愈好。
体积电阻率测试仪器:体积电阻率测定仪
收起百科↑ 最近更新:2017年03月21日
检测项:沉降体积比 检测样品:药品 标准:中国药典2010年版二部附录ⅠG
检测项:旋光度(比旋度) 检测样品:药品 标准:中国药典2010年版二部附录ⅥE/一部附录Ⅶ E
机构所在地:江苏省苏州市
检测项:沉降体积比 检测样品:药品 标准:中国药典2010年版二部附录ⅠG;ⅠO;ⅠQ;ⅠR
检测项:旋光度(比旋度) 检测样品:药品 标准:中国药典2010年版二部附录ⅥE/一部附录ⅦE
机构所在地:青海省西宁市
检测项:沉降体积比 检测样品:药品 标准:中国药典2010年版二部附录ⅠG
检测项:旋光度(比旋度) 检测样品:药品 标准:中国药典2010年版二部附录Ⅵ E/一部附录Ⅶ E
机构所在地:湖北省武汉市
检测项:沉降体积比 检测样品:药品 标准:《中华人民共和国药典》2010年版二部附录I G, I O, I Q, I R
检测项:沉降体积比 检测样品:药品 标准:《中华人民共和国药典》2010年版二部附录I G, I O, I Q, I R
检测项:旋光度(比旋度) 检测样品:药品 标准:《美国药典》第35版附录<651>
机构所在地:浙江省杭州市
检测项:沉降体积比 检测样品:药品 标准:中国药典2010年版二部附录Ⅰ G;I O;I Q;I R
检测项:旋光度(比旋度) 检测样品:药品 标准:中国药典2010年版二部附录Ⅵ E/一部附录Ⅶ E
机构所在地:广西壮族自治区南宁市
检测项:沉降体积比 检测样品:药品 标准:中国药典2010年版二部附录ⅠO
检测项:旋光度(比旋度) 检测样品:药品 标准:美国药典第37版
检测项:旋光度(比旋度) 检测样品:药品 标准:英国药典2014年版
机构所在地:四川省成都市
检测项:沉降体积比 检测样品:药品 标准:中国药典2010年版二部附录ⅠG
检测项:旋光度(比旋度) 检测样品:药品 标准:中国药典2010年版二部附录ⅥE/一部附录ⅦE
机构所在地:北京市