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检测项:正向电压VF 检测样品:光电耦合器 标准:《半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997
检测项:击穿电压V(BR) 检测样品:光电耦合器 标准:《半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997
检测项:工作电压VZ 检测样品:光电耦合器 标准:《半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997
机构所在地:贵州省贵阳市
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条
检测项:基极-发射极饱和电压 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条
检测项:共发射极正向电流传输比 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条
机构所在地:江苏省南京市
机构所在地:北京市
机构所在地:河北省石家庄市
机构所在地:湖北省武汉市