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血糖及血糖相关参数分析仪器产品描述:通常由主机模块、电源模块、软件模块等组成。原理一般为电化学法、光反射技术、比色法等。不包含采血器具及适配试剂。 血糖及血糖相关参数分析仪器预期用途:与适配试剂配合使用,用于人体样本中待测物的定性和/或定量分析。 血糖及血糖相关参数分析仪器品名举例:血糖分析仪、血糖/尿酸/总胆固醇分析仪、血糖/总胆固醇分析仪、血糖血压测试仪、血糖与血...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年08月07日
检测项:击穿报警功能 检查 检测样品:二次电压电流仪表 标准:GB/T 22264.1-2008 《安装式数字显示电测量仪表 第1部分:定义和通用要求》
检测项:冲击灵敏度 检测样品:冲击传感器 标准:GB/T 20485.22-2008 《振动与冲击传感器校准方法 第22部分:冲击比较法校准》
检测项:灵敏度幅值 检测样品:振动传感器 标准:GB/T 20485.21-2007 振动与冲击传感器校准方法 第21部分:振动比较法校准
机构所在地:四川省绵阳市 更多相关信息>>
检测项:固体绝缘材料工频耐压性能 检测样品:塑料 标准:ASTM D 149-2009 固态绝缘材料工频击穿电压和绝缘强度的测试方法
检测项:固体绝缘材料工频耐压性能 检测样品:塑料 标准:ASTM D 149-09 固态绝缘材料工频击穿电压和绝缘强度的测试方法
检测项:固体绝缘材料工频交、直流击穿性能 检测样品:塑料 标准:ISO 1183-1:2004(E) 塑料 非泡沫塑料密度测定方法
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:反向击穿电压 检测样品:光电耦合器 标准:半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1~2215.14-1982
检测项:集电极-发射极反向击穿电压 检测样品:光电耦合器 标准:半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1~2215.14-1982
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:熔体流动 速率 (MFR/MVR) 检测样品:塑料 标准:固体电绝缘材料在工频下的击穿电压和电气强度的测试方法 ASTMD149-09
检测项:低温简支梁冲击性能 检测样品:塑料 标准:塑料-简支梁冲击性 能的测定. 第1部分: 非仪器冲击试验 ISO179-1:2010
检测项:简支梁冲击性能 检测样品:塑料 标准:塑料-简支梁冲击性能 的测定. 第1部分: 非仪器冲击试验 GB/T 1043.1-2008
检测项:变压器油耐压试验 检测样品:电力变压器 标准:绝缘油击穿电压测试法
检测项:变压器油试验 检测样品:串联电抗器 标准:GB 1094.1-1996 电力变压器第1部分 总则 GB/T 507-2002 绝缘油击穿电压测试法 JB 5346-1998 串联电抗器
检测项:冲击性能试验 检测样品:缓冲器 标准:GB 6096-2009《安全带测试方法》
机构所在地:广东省广州市 更多相关信息>>
检测项:穿孔刺破强度力 检测样品:土工合成材料 标准:ISO 12236-2006 土工合成材料--静态击穿试验(CBR试验)
检测项:刺破强力 检测样品:土工合成材料 标准:土工布及有关产品抗剌破测试方法 ASTM D4833 - 07
检测项:穿孔刺破强度力 检测样品:土工合成材料 标准:ASTM D4833 - 07 土工膜及有关产品抗剌穿系数测试方法
机构所在地:广东省珠海市 更多相关信息>>
检测项:孔隙率等级 检测样品:涂层(漆膜) 标准:固体绝缘材料工频下的击穿电压和电气强度测试方法 ASTM D149-09
检测项:冲击强度(耐冲击) 检测样品:涂层(漆膜) 标准:色漆和清漆-弯曲性能测试(圆柱轴)ISO 1519:2011
检测项:工频电气强度 检测样品:涂层(漆膜) 标准:在工业用电频率时实心电绝缘材料的介电击穿电压与介电强度的试验方法 ASTM D149-2009
机构所在地:河北省廊坊市 更多相关信息>>
检测项:PD反向击穿电压 检测样品:光纤连接器 标准:PIN-FET光接收组件测试方法 YD/T 702-1993
检测项:外观 检测样品:蜂窝电话用锂离子电池 标准:蜂窝电话用锂离子电池总规范 GB/T18287-2000
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项:电气强度 检测样品:塑 料 标准:ASTM_D149-09固体绝缘材料在工频下的介电击穿电压和介电强度的标准测试方法
检测项:黄色指数 检测样品:塑 料 标准:ASTM_D149-09固体绝缘材料在工频下的介电击穿电压和介电强度的标准测试方法
检测项:温度冲击测试 检测样品:光 伏 系 统 连 接 器 标准:UL6703:2010 光伏用连接器
机构所在地:江苏省常州市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极击穿电压BVceo 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
检测项:反向击穿电压 检测样品:继电器 标准:半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.5-1982
检测项:集电极-发射极反向击穿 电压 检测样品:继电器 标准:半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.7-82
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>