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检测项：击穿电压 检测样品：电力用油 标准：绝缘液中水含量的测定 卡尔•费休电量滴定法 NB/SH/0207-2010
检测项：击穿电压 检测样品：电力用油 标准：电力系统油质试验方法 绝缘油介电强度测定法 DL/T 429.9-1991
检测项：2-糠醛和有关化合物 检测样品：电力用油 标准：绝缘油击穿电压测定法 GB/T 507-2002
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：3011 集电极-发射极击穿电压 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》
检测项：3407 漏-源击穿电压 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》
检测项：输出逻辑电压电平VOH 检测样品：晶体谐振器 标准：SJ/Z 9154.1-87 《用π型网络零相位法测量石英晶体元件参数 第一部分 测量石英晶体元件谐振频率和谐振电阻的基本方法》
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-97
检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-97
检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：混合集成电路 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：晶体管电特性测试 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
检测项：吸合电压 检测样品：继电器、接触器 标准：飞机电磁继电器接触器技术条件HB5523-1980
检测项：电压降测定 检测样品：民用直流接触器 标准：牵引电器基本试验方法ZBK63003—1988
机构所在地：贵州省遵义市 更多相关信息>>
检测项：变压器油耐压试验 检测样品：变压器油 标准：GB/T 507-2002 IEC60156:1995 《绝缘油击穿电压测定法》
检测项：电压比测量和联结组标号检定 检测样品：变压器 标准：GB1094.1-1996 IEC60076-1:2011 《电力变压器 第1部分 总则》
机构所在地：河北省保定市 更多相关信息>>
检测项：反向击穿电压 检测样品：二极管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法4016
检测项：集基极反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法3011
检测项：反向击穿电压 检测样品：二极管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4021.2
检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994
检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994
检测项：漏源击穿电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994
机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>
检测项：栅源击穿电压 检测样品：VDMOS管 标准：半导体器件测试方法 MIL-STD-750F:2012 方法3401.1
检测项：电压调整率和电压稳定系数 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996
检测项：输出电压长期稳定性 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996
检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：半导体集成运算放大器 标准：SJ/T 10738-1996 半导体集成电路 运算(电压)放大器测试方法的基本原理
检测项：击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
检测项：发射极-基极击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
机构所在地：云南省昆明市 更多相关信息>>
检测项：耐电压测试 检测样品：电绝缘材料 标准：在工业用电频率时实心电绝缘材料的介电击穿电压与介电强度的试验方法ASTM D149：2009（2013）
检测项：耐电压测试 检测样品：电绝缘材料 标准：塑料吸水性的测定 ISO62:2008
检测项：密度 检测样品：塑料 标准：塑料 非泡沫塑料密度的测定 第1部分：浸渍法、液体比重瓶法和滴定法 GB/T 1033.1-2008
机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>
