中材地质工程勘查研究院有限公司测试中心

检测项：粒度分布/筛余量/粒度测定 检测样品：非金属矿原料 标准：《活性白土》HG/T2569-2007 《散装矿产品取样、制样通则,粒度测定方法－手工筛》GB/T2007.7-1987 《干磨云母粉》JC/T595-1995

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天津航空机电有限公司可靠性和环境检测中心

检测项：冲击试验 检测样品：机电 产品 标准：军用设备环境试验方法 冲击试验 GJB150.18-1986

检测项：冲击试验 检测样品：机电 产品 标准：军用装备实验室环境试验方法 第18部分 冲击试验 GJB150.18A-2009

检测项：冲击试验 检测样品：机电 产品 标准：军用通信设备通用规范 中4.7.39和4.7.42 GJB367A-2001

机构所在地：天津市 更多相关信息>>

兰州飞行控制有限责任公司环境试验中心

检测项：冲击 试验 检测样品：军用及民用电子产品、电气产品、机械产品。 标准：GJB150.18-86 军用设备环境试验方法 冲击试验； GJB150.18A-2009 军用设备环境试验方法 冲击试验； GB/T 2423.5-1995 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Ea和导则: 冲击 HB5830.2-82 机

检测项：冲击试验 检测样品：军用及民用电子产品、电气产品、机械产品。 标准：GJB150.18-1986 军用设备环境试验方法 冲击试验

检测项：冲击试验 检测样品：军用及民用电子产品、电气产品、机械产品。 标准：HB5830.2-1982 机载设备环境条件及试验方法 冲击

机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>

湖北信通通信有限公司计量检测中心

检测项：涂塑铝带（含涂塑钢带）重叠宽度 检测样品：铜芯聚烯烃绝缘铝塑综合护套市内通信电缆 标准：《电缆外护层 第1部分:总则》GB/T2952.1-2008 《铜芯聚烯烃绝缘铝塑综合护套市内通信电缆》YD/T322-2013 《铜芯聚烯烃绝缘铝塑综合护套市内通信电缆试验方法 第5部分：电缆结构试验方法》YD/T837.5-1996

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

北京光华无线电厂检测试验中心

检测项：冲击试验 检测样品：电工电子 产品、军用设备 标准：电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法： 试验Ea和导则：冲击 GB/T 2423.5-1995

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：振动试验 检测样品：军用及民用机械、电子类产品 标准：军用装备实验室环境试验方法 第16部分：振动试验 GJB 150.16A-2009

检测项：振动试验 检测样品：军用及民用机械、电子类产品 标准：军用设备环境试验方法 振动试验 GJB150.16-1986

检测项：振动试验 检测样品：军用及民用机械、电子类产品 标准：军用通信设备通用规范 GJB367A-2001

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

深圳中认通测检验技术有限公司

检测项：发射机天线波束宽度 检测样品：工作在865 MHz 到 868 MHz的RF ID设备 标准：ETSI EN 302 208-1 V1.4.1 (2011-11) 电磁兼容性和无线电频谱事项(ERM); 功率小于2W的工作在865 MHz 到 868 MHz射频识别设备;第一部分：测试方法和要求. ETSI EN 302 208-2 V1.4.1

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

广州中南民航空管技术装备工程有限公司空管技术应用实验室

检测项：窄脉冲抑制能力测试 检测样品：1090ES ADS-B地面站(接收)设备 标准：ED-129《TECHNICAL SPECIFICATION FOR A 1090MHz EXTENDED SQUITTER ADS-B GROUND STATION》 RTCA/DO-260《1090MHz扩展电文ADS-B和TIS-B最低运行性

机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>

宁波市信测检测技术有限公司

检测项：部分项目 检测样品：应急灯具 标准：灯具 第2-22部分：特殊要求 应急照明灯具 GB 7000.2-2008

检测项：部分项目 检测样品：应急灯具 标准：灯具 第2-22部分：特殊要求 应急照明灯具 IEC60598-2-22:2008

检测项：部分项目 检测样品：应急灯具 标准：灯具 第2-22部分：特殊要求 应急照明灯具 EN60598-2-22:1998+A1:2003+A2:2008

机构所在地：浙江省宁波市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团第七0九研究所微电子测试校准实验室

检测项：时钟脉冲宽度 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

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