西安东风仪表厂可靠性试验检测中心

检测项：反向漏电流 检测样品：半导体 二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：反向漏电流 检测样品：半导体 二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：反向漏电流 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

贵州天义电器有限责任公司电气检测中心

检测项：二极管电特性测试 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：最大线圈电流 检测样品：继电器、接触器 标准：飞机电磁继电器接触器技术条件HB5523-1980

检测项：最大线圈电流 检测样品：继电器、接触器（含可靠性指标） 标准：含可靠性指标的电磁继电器总规范GJB1461-1992 电子及电气元件试验方法GJB360B-2009 军用设备环境实验方法湿热试验GJB150.9-1986

机构所在地：贵州省遵义市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：反向漏电流Ir 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：反向漏电流IR 检测样品：二极管 标准：1.GB/T 4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管； 2.GB/T 6571-1995半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管；

检测项：反向栅源漏电流Igssr 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西北机电工程研究所检测和校准实验室

检测项：反向漏电流IR 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997

机构所在地：陕西省咸阳市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：反向漏电流IR 检测样品：三极管 标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：反向电流IR 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：低压电气及电子设备发出的谐波电流限值(设备每相输入电流≤16A) 检测样品：工业、科学和医疗射频设备 标准：(1)GB/T17625.1-2003 (2)IEC 61000-3-2:2005 《电磁兼容 限值谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A)》

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995 Ⅳ章 测试方法

检测项：反向栅源漏 电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：反向电流 检测样品：继电器 标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.4-1982

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

国网计量中心

检测项：反向漏电流 检测样品：继电器 标准：控制用电磁继电器可靠性试验通则 GB/T15510-2008 电子式电能表用磁保持继电器 JB/T10923-2010

检测项：泄漏电流试验 检测样品：气体密度微水在线监测装置 标准：六氟化硫微量水分仪 DL/T 846.5-2004

检测项：漏电流 检测样品：电容器 标准：电子设备用固定电容器第4部分 固体或非固体电解质铝电容器GB/T5993-2003 GJB360B-2009 电子及电气元件试验方法

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：4016 反向漏电流 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》

检测项：反向电流（IR） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

检测项：集电极－基极截止电流（反向电流）（ICBO） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4016.4

检测项：关闭状态反向漏电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4211.1

检测项：漏极反向电流 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3415.1

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：GB/T4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：GB/T4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管

检测项：反向截止电流 检测样品：晶振 标准：GJB1648A-2011 晶体振荡器通用规范 GJB2138-94 石英晶体元件总规范 GJB/Z45.1-93 军用压电器件系列型谱 石英晶体元件

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>