信息技术设备中电压波动和闪烁的检测

检测项：电压波动和闪烁 检测样品：信息技术设备 标准：GB17625.2-2007 电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制

检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：反向电压VR 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管GB/T6571-1995

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管GB/T6571-1995

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

机构所在地：河南省郑州市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：反向直流电压（VR） 检测样品：整流二级管 标准：GB/T 4023－1997《半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二级管》

检测项：最大反向输入直流电压（VR） 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T 15651.2－2003《半导体器件分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性》

检测项：最大反向直流电压（VR） 检测样品：信号（包括开关）和调整二级管 标准：GB/T 6571－1995《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二级管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

检测项：反向击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

检测项：反向击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

西北机电工程研究所检测和校准实验室

检测项：反向漏电流IR 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997

检测项：正向电压VF 检测样品：二极管 标准：《高稳定薄膜固定电阻器总规范》 GJB 1929-1994

检测项：正向电压VF 检测样品：二极管 标准：《片式膜固定电阻器通用规范》 GJB 1432B-2009

机构所在地：陕西省咸阳市 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：复位电压VR 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T14029-1992 《半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理》

检测项：反向电流IR 检测样品：电阻器 标准：GB/T5729-2003《电子设备用固定电阻器总规范》

检测项：输入正向阈值电压VIT+ 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》 GB3442-1986 《半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：复位电压VR 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

检测项：复位电压VR 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：复位电压VR 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-1992

检测项：反向电流IR 检测样品：双基极单结晶体管 标准：SJ/T10333-1993 单结晶体管测试方法

检测项：发射极与第一基极间反向电流Ieo 检测样品：继电器 标准：GJB1042A-2002 电磁继电器通用规范

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

机械工业仪器仪表元器件质量检验所

检测项：反向击穿电压 检测样品：光学零件镀膜 减反射膜 标准：JB/T 9478.12-1999光电池测量方法 反向击穿电压

检测项：最大工作电压 检测样品：光电池 标准：JB/T 9478.2-1999光电池测量方法 伏安特性

机构所在地：辽宁省沈阳市 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法SJ2215.7-1982

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器集电极—发射极反向击穿电压的测试 方法SJ2215.7-1982

检测项：B、E饱和电压 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>