上海无线电设备研究所环境与检测实验室

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

湖南航天管理局计量检测中心

检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：基极-发射极饱和电压VBesat 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

机构所在地：河南省郑州市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：集电极-基极击穿电压VCBO，发射极-基极击穿电压VEBO 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：发射极-基极击穿电压Vebo 检测样品：光电耦合器 标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：基极-发射极饱和电压VbeSsat 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：集电极-基极击穿电压，发射极-基极击穿电压 检测样品：整流二极管 标准：GB/T6571-1995半导体器件分立器件和集成电路第2部分整流二极管

检测项：集电极-基极击穿电压，发射极-基极击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

山东省电子信息产品检验院（中国赛宝（山东）实验室、山东省网络与信息安全测评中心）

检测项：基极-发射极电压 检测样品：低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准：低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准：低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准：低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996

机构所在地：山东省济南市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：晶体三极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：集电极电流为零时的最高发射极－基极电压（VEBO） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

检测项：发射极电流为零时的最高集电极－基极电压（VCBO） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

检测项：基极电流为零时的最高集电极－发射极电压（VCEO） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR )EBO 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

机构所在地：北京市 更多相关信息>>