孤岛效应保护检测实验

防龋材料

简介

防龋材料

简介

防龋材料产品描述：一般采用树脂基材料或含氟材料制成。

防龋材料预期用途：用于预防龋齿，封闭牙齿窝沟点隙，阻断细菌进入，或提高牙齿釉质的耐酸蚀性。

防龋材料品名举例：氟保护剂、氟保护漆、氟化泡沫、氟防龋材料、防龋凝胶、光固化窝沟封闭剂、窝沟封闭剂、牙科树脂基窝沟封闭剂

防龋材料管理类别：Ⅱ

防龋材料相关指导原则：
1、窝沟封闭剂产品注册审查指导原则

防龋材料相关标准：
1、YY/T 0632-2008 《牙齿漂白材料过氧化物含量的测定方法》
2、YY/T 0623-2008 《牙科材料可溶出氟的测定方法》

防龋材料相关检测项目：
1 . pH值《牙科氟化物防龋材料： YY/T 0823-2020》
2 . 可溶出氟含量《牙科氟化物防龋材料： YY/T 0823-2020》《牙科材料可溶出氟的测定方法： YY/T 0623-2008》
3 . 总氟含量《牙科氟化物防龋材料： YY/T 0823-2020》
4 . 重金属总含量《牙科氟化物防龋材料： YY/T 0823-2020》
5 . 砷含量《牙科氟化物防龋材料： YY/T 0823-2020》
6 . 微生物限度《牙科氟化物防龋材料： YY/T 0823-2020》

收起百科↑ 最近更新：2023年06月12日

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中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：饱和压降检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：截止电流检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：直流放大倍数检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

机构所在地：重庆市更多相关信息>>

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湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：密封性检查检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：外部目检检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：湖北省孝感市更多相关信息>>

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深圳市疾病预防控制中心

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价检测样品：洁净室标准：农业转基因生物食用安全性检验第5部分非期望效应检验（DB440300/T32.5-2007）

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价检测样品：转基因生物检测标准：农业转基因生物食用安全性检验第5部分非期望效应检验（DB440300/T32.5-2007）

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价检测样品：洁净室标准：农业转基因生物食用安全性要求和评价（SZJG 23-2006）

机构所在地：广东省深圳市更多相关信息>>

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中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VCEsat: 集电极与发射极间的饱和压降检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

检测项：hFE:共发射接法时静态电流放大系数检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

检测项：V(BR)DS*:崩潰電壓检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

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中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：发射极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：集电极—发射极维持电压检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

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陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：放大倍数（hFEL）检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

机构所在地：陕西省西安市更多相关信息>>

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中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：漏极截止电流检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：栅-源截止电压检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

机构所在地：江苏省南京市更多相关信息>>

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西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：传导发射检测样品：机动车电子电器组件标准：车辆、船和内燃机无线电骚扰特性用于保护车载接收机的限值和测量方法 GB/T 18655-2010

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北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：栅源阈值电压VGS(th) 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体器件第8部分：场效应晶体管

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宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：栅-源击穿电压检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：漏-源通态电阻检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：零栅压漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

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