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检测项:冲击试验 检测样品:军用设备/军用产品 标准:军用设备环境试验方法 第18部分:冲击试验 GJB150.18-1986
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:冲击试验 检测样品:机电 产品 标准:军用设备环境试验方法 冲击试验 GJB150.18-1986
检测项:冲击试验 检测样品:机电 产品 标准:军用装备实验室环境试验方法 第18部分 冲击试验 GJB150.18A-2009
检测项:冲击试验 检测样品:机电 产品 标准:军用通信设备通用规范 中4.7.39和4.7.42 GJB367A-2001
机构所在地:天津市 更多相关信息>>
检测项:冲击 试验 检测样品:军用及民用电子产品、电气产品、机械产品。 标准:GJB150.18-86 军用设备环境试验方法 冲击试验; GJB150.18A-2009 军用设备环境试验方法 冲击试验; GB/T 2423.5-1995 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Ea和导则: 冲击 HB5830.2-82 机
检测项:冲击试验 检测样品:军用及民用电子产品、电气产品、机械产品。 标准:GJB150.18-1986 军用设备环境试验方法 冲击试验
检测项:冲击试验 检测样品:军用及民用电子产品、电气产品、机械产品。 标准:HB5830.2-1982 机载设备环境条件及试验方法 冲击
机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项:涂塑铝带(含涂塑钢带)重叠宽度 检测样品:铜芯聚烯烃绝缘铝塑综合护套市内通信电缆 标准:《电缆外护层 第1部分:总则》GB/T2952.1-2008 《铜芯聚烯烃绝缘铝塑综合护套市内通信电缆》YD/T322-2013 《铜芯聚烯烃绝缘铝塑综合护套市内通信电缆试验方法 第5部分:电缆结构试验方法》YD/T837.5-1996
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:冲击试验 检测样品:电工电子 产品、军用设备 标准:电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法: 试验Ea和导则:冲击 GB/T 2423.5-1995
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:振动试验 检测样品:军用及民用机械、电子类产品 标准:军用装备实验室环境试验方法 第16部分:振动试验 GJB 150.16A-2009
检测项:振动试验 检测样品:军用及民用机械、电子类产品 标准:军用设备环境试验方法 振动试验 GJB150.16-1986
检测项:振动试验 检测样品:军用及民用机械、电子类产品 标准:军用通信设备通用规范 GJB367A-2001
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:发射机天线波束宽度 检测样品:工作在865 MHz 到 868 MHz的RF ID设备 标准:ETSI EN 302 208-1 V1.4.1 (2011-11) 电磁兼容性和无线电频谱事项(ERM); 功率小于2W的工作在865 MHz 到 868 MHz射频识别设备;第一部分:测试方法和要求. ETSI EN 302 208-2 V1.4.1
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项:窄脉冲抑制能力测试 检测样品:1090ES ADS-B地面站(接收)设备 标准:ED-129《TECHNICAL SPECIFICATION FOR A 1090MHz EXTENDED SQUITTER ADS-B GROUND STATION》 RTCA/DO-260《1090MHz扩展电文ADS-B和TIS-B最低运行性
机构所在地:广东省广州市 更多相关信息>>
检测项:时钟脉冲宽度 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM