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射频浅表治疗设备产品描述:通常由射频发生器、温度测量装置、治疗电极、电缆、中性电极(若有)等组成。通过治疗电极将射频能量(一般以电流的形式)作用于人体皮肤及皮下组织,使人体组织、细胞发生病理/生理学改变。 射频浅表治疗设备预期用途:用于治疗皮肤松弛,减轻皮肤皱纹,收缩毛孔,紧致、提升皮肤组织等。 射频浅表治疗设备品名举例:射频治疗仪、射频皮肤治疗仪 射频...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年03月27日
检测项:共模抑制比 检测样品:时基电路 标准:半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2000
检测项:最大共模输入电压 检测样品:时基电路 标准:半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2000
检测项:共模抑制比 检测样品:CMOS集成电路 标准:半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 GB/T 17940-2000
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:输出共模 抑制比 检测样品:TTL电路 标准:SJ/T 10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理
机构所在地:云南省昆明市 更多相关信息>>
检测项:电信端口的传导共模骚扰限值 检测样品:工业、科学设备 标准:信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法 GB 9254-2008 / CISPR 22:2006
检测项:射频场感应的传导骚扰抗扰度 检测样品:信息技术设备 标准:电磁兼容 试验和测量技术射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB/T 17626.6-2008/ IEC 61000-4-6:2006
检测项:射频电磁场辐射抗扰度试验 检测样品:信息技术设备 标准:电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验 GB/T 17626.3-2006/ IEC 61000-4-3:2002
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:共模抑制比 检测样品:电压比较器 标准:SJ/T10805-2000半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
检测项:共模抑制比 检测样品:运算放大器 标准:SJ/T10738-1996半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理
检测项:共发射极正向电流传输比 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:共模抑制比 检测样品:电压比较器 标准:半导体集成电路电压比较器 测试方法的基本原理 GB/T6798-1996
检测项:射频电磁场辐射抗扰度 检测样品:工业、科学、医疗设备 标准:电磁兼容 试验和测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验 GB/T 17626.3-2006
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:共模抑制比 检测样品:数字集成 电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000
检测项:共发射正向电流传输比 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体器件分立器第7部分双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:温度冲击试验 检测样品:热处理炉 标准:有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范GJB675A-2002 3.4
机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项:共模抑制比 检测样品:模拟集成电路 标准:《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996
检测项:共模抑制比KCMR 检测样品:运算放大器 标准:GB/T17940-2000 《半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路》
检测项:共模抑制比KCMR 检测样品:电压比较器 标准:GB/T 6798-1996《半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理》
检测项:共发射极正向电流传输比的静态值(h21E) 检测样品:场效应晶 体管 标准:GB/T 4586-94《半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管》
检测项:RF共模抗扰度 检测样品:电信终端设备 标准:电信终端设备防雷技术要求及试验方法 YD/T 993-2006
检测项:SLM激光器的最小边模抑制比 检测样品:基于以太网 方式的无源 光网络 (EPON) 标准:接入网技术要求——基于以太网方式的无源光网络(EPON) YD/T 1475-2006 接入网设备测试方法——基于以太网方式的无源光网络(EPON) YD/T 1531-2006
检测项:射频电磁场辐射骚扰抗扰度 检测样品:电子电器产品 电磁兼容 标准:电磁兼容 试验和测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验 GB/T 17626.3-2006 电磁兼容性(EMC) 第4-3部分:试验和测量技术 - 辐射、射频、电磁场抗扰度试验 IEC 61000-4-3-2006/A1:2007/A2:2010 EN 6100
检测项:共模抑制比 检测样品:电压比较器 标准:半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理GB/T6798-1996
检测项:共模抑制比 检测样品:二极管 标准:半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T4023-1997 半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>