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YY/T 1292.1-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第1部分:筛选试验 YY/T 1292.2-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第2部分:胚胎发育毒性试验 YY/T 1292.3-2016医疗器械生殖和发育毒性试验 第3部分:一代生殖毒性试验 YY/T 1292.4-2017医疗器械生殖和发育毒性试验 第4部分:两代生殖毒性试验 查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2022年04月19日
检测项:氨基酸态氮 检测样品:酱油 标准:酿造酱油 GB 18186-2000 6.4
检测项:氨基酸态氮 检测样品:酱 标准:酱卫生标准的分析方法 GB/T 5009.40-2003 4.1
检测项:硫醇硫 检测样品:石油产品 标准:汽油、煤油、航空汽轮机燃料及馏出燃料中(硫醇态)硫含量的试验方法(电位法) ASTM D3227-13
机构所在地:辽宁省大连市 更多相关信息>>
检测项:通态电阻 检测样品:功率金属氧化物场效应管 标准:半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法3407
检测项:集射电极关态电流 检测样品:晶体管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3041.1
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:部分参数 检测样品:电动机 标准:小功率电动机的安全要求 GB 12350-2009
检测项:输入功率和电流 检测样品:家用和类似用途的电器 标准:家用和类似用途电器的安全 GB 4706.1-2005
检测项:工作温度下的泄漏电流和电气强度 检测样品:灯具 标准:灯具 第一部分:一般要求与实验 GB 7000.1-2007
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:全部项目 检测样品:病人、医护人员和器械用手术单、手术衣和洁净服(干态落絮) 标准:病人、医护人员和器械用手术单、手术衣和洁净服第4部分:干态落絮试验方法 YY/T 0506.4-2005
检测项:电压暂降、短时中断和电压变化抗扰度 检测样品:医用电气设备及体外诊断设备(电磁兼容) 标准:电磁兼容 限值 对额定电流≤16A的设备在低压供电系统中产生的电压波动和闪烁的限制 GB 17625.2-2007; 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验 GB/T 17626.2-2006;
检测项:工频磁场抗扰度 检测样品:医用电气设备及体外诊断设备(电磁兼容) 标准:电磁兼容 限值 对额定电流≤16A的设备在低压供电系统中产生的电压波动和闪烁的限制 GB 17625.2-2007; 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验 GB/T 17626.2-2006;
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:绝缘电阻、介电强度和漏电流 检测样品:电源变压器,电源装置和类似产品 标准:电源变压器,电源装置和类似产品的安全 第1部分:一般要求 GB 19212.1-2008 IEC 61558-1:2005 + A1:2009 AS/NZS 61558.1:2008 + A1:2009
检测项:耐潮湿 检测样品:家用和类似用途电器 标准:家用和类似用途电器的安全 第1部分:一般要求 GB 4706.1-2005 IEC 60335-1:2001 + A1:2004 + A2:2006 IEC 60335-1:2010 AS/NZS
检测项:绝缘要求 检测样品:音频,视频及类似电子设备 标准:音频,视频及类似电子设备的安全要求 IEC 60065:2001 + A1:2005 + A2:2010 AS/NZS 60065:2003 + A1:2008 EN 60065:2002 + A
机构所在地:山东省青岛市 更多相关信息>>
检测项:断态电流 检测样品:光耦合器 标准:半导体光耦合器(二极管)正向压降的测试方法 SJ 2215.2-1982
检测项:静态漏-源通态电阻 检测样品:场效应 晶体管 标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条
检测项:静态漏-源通态电阻 检测样品:场效应 晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项:输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:SJ/T10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》
检测项:输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:SJ/T10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:电子元器件 标准:微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3021
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:电子元器件 标准:微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3020
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:电子元器件 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.14条
机构所在地:江苏省无锡市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态电流(IOZ) 检测样品:DC/DC变换器 标准:混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ20646-97
检测项:漏源通态电压(VDS(on)) 检测样品:光电 耦合器 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管 GB/T 4587-94 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 半导体分
检测项:漏源通态电阻(rDS(on)) 检测样品:场效应管 标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:电子产品、军用装备 标准:GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验 Fc:振动(正弦)
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:电子产品、军用装备 标准:GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验 Fc:振动(正弦)
检测项:发射极-基极截止电流 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
机构所在地:云南省昆明市 更多相关信息>>