惠州市德赛西威汽车电子有限公司实验室

检测项：温度变化试验 检测样品：汽车电子系统 标准：汽车收放机环境试验要求和试验方法 SJ/T 10325-1992 3.2.1f 电工电子产品环境试验试验 第2部分：试验方法 试验N：温度变化 GB/T

机构所在地：广东省惠州市 更多相关信息>>

北京长城电子装备有限责任公司环境与可靠性检测中心

检测项：联合试验（可靠性试验） 检测样品：军用设备及电工电子产品 标准：GJB899A-2009《可靠性鉴定和验收试验》

检测项：联合试验（可靠性试验） 检测样品：军用设备及电工电子产品 标准：GB/T 12165-1998《盒式磁带录音机可靠性要求和试验方法》

检测项：联合试验（环境应力筛选） 检测样品：军用设备及电工电子产品 标准：GJB1032-90《电子产品环境应力筛选方法》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

上海半导体照明工程技术研究中心检测实验室

检测项：温度变化 检测样品：电工电子产品 标准：GB/T 2423.22-2002 IEC60068-2-14：2009 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验N:温度变化

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

深圳市巴伦检测技术有限公司

检测项：EVDO发射机测试 检测样品：CDMA2000通信终端 标准：1）CDMA 2000 高速率分组数据接入终端推荐的最低性能标准 (3GPP2 C.S0033-0 V1.0) (3GPP2 C.S0033-0 V2.0) (3GPP2 C.S0033-A V1.0) (3GPP2 C.S0033-A V2.0)

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

苏州佳世德检测技术有限公司

检测项：温度变化试验 检测样品：电工电子产品 标准：电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验N:温度变化 GB/T2423.22-2012

机构所在地：江苏省昆山市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团第七0九研究所微电子测试校准实验室

检测项：输入高电平 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

检测项：频率 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理SJ/T10738-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理SJ/T10805-2000 半导体集成电路模拟开关测试方法的基

检测项：输入高电平 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>