中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：漏--源短路时的栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：集电极--基极截止电流ICBO 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

检测项：发射极--基极截止电流IEBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

湖南航天管理局计量检测中心

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件 第9部分：场效应晶体管

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件 第9部分：场效应晶体管

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅极截止电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：栅极截止电流 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997《半导体器件:分立器件和集成电路 第2部分: 整流二极管》 GB/T6571-1995 《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：集电极-基极截止电流ICBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：漏-源短路时，栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

检测项：漏-源短路时，栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

检测项：源极开路时，栅极截止电流IGDO 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：结栅型的栅极截止电流 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：绝缘栅型的栅极漏泄电流 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：漏极截止电流 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：栅极漏泄电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：栅极漏电流 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：集电极-基极截止电流 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分： 双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章1.2、 4.1、 5.1、 1.9.6、 1.10.2条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：反向截止电流 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器（三极管）反向截止电流的测试方法SJ2215.9-1982

检测项：C、B截止电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

检测项：E、B截止电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：栅极泄漏电流 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：栅极泄漏电流 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：集电极-基极截止电流 检测样品：晶体三极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：栅极漏电流 检测样品：小型开关电源 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3411.1

检测项：栅极漏电流 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3411.1

检测项：栅极触发电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4221.1

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>