滤线栅效应(混叠) 检测实验

防散射滤线栅

简介

防散射滤线栅

简介

防散射滤线栅产品描述：通常由铅条、介质等组成。放置于影像接收面之前，以减少辐射到影像接收面上的散射辐射，从而改善X射线影像对比度的一种装置。

防散射滤线栅预期用途：配合X射线机使用，用于增加X射线影像的对比度。

防散射滤线栅品名举例：防散射滤线栅、乳腺防散射滤线栅

防散射滤线栅管理类别：Ⅱ

防散射滤线栅相关指导原则：
1、含儿科应用的医用诊断X射线设备注册审查指导原则
2、医用诊断X射线管组件注册技术审查指导原则

防散射滤线栅相关标准：
1 . GB 9706.1-2007 医用电气设备第1部分：安全通用要求
2 . GB 9706.11-1997 医用电气设备第2部分：医用诊断X射线源组件和X射线管组件安全专用要求
3 . GB 9706.12-1997 医用电气设备第1部分：安全通用要求并列标准：诊断X射线设备辐射防护通用要求
4 . GB/T 10151—2008 医用X射线设备高压电缆插头、插座技术条件
5 . YY/T 0291-2016 医用X射线设备环境要求及试验方法
6 . YY/T 0609-2018 医用诊断X射线管组件通用技术条件

防散射滤线栅相关检测项目：
1 . 物理特性的测量与确定《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
2 . 测量方法和布置《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
3 . 物理特性《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
4 . 对防散射滤线栅的要求《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
5 . 制造误差《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
6 . 应用极限的确定《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
7 . 特性的准确度《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
8 . 标记与随附文件《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
9 . 符合性声明《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》

收起百科↑ 最近更新：2023年03月14日

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中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅-源短路时的漏极电流检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：栅-源短路时的漏极电流检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》

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中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅源阈值电压检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：零栅压漏极电流检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：正向栅源漏电流检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

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中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：零栅压漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

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贵州航天计量测试技术研究所

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997

检测项：老炼和寿命试验（功率场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管检测样品：半导体分立器件标准：《半导体分立器件试验方法》GJB128A-1997

检测项：栅-源截止电压VGSoff 检测样品：晶体振荡器标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993

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上海精密计量测试研究所

检测项：栅-源阈值电压VGS(th) 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：栅-源阈值电压VGS(th) 检测样品：半导体集成电路时基电路标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

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湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：栅-源截止电压VGSoff 检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：栅-源阈值电压VGS（th）检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

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中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：栅源阈值电压检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：集电极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：发射极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

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中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：栅-源截止电压检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：结栅型的栅极截止电流检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

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西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：零栅压漏极电流检测样品：晶闸管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：正向栅源漏电流检测样品：晶闸管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

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北京尊冠科技有限公司

检测项：栅－源电压为零时的漏极电流（IDSS）检测样品：场效应晶体管标准：GB/T 4586－94《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》

检测项：规定栅－源电压时的漏极电流（ID）检测样品：场效应晶体管标准：GB/T 4586－94《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》

检测项：1042 老炼和寿命试验（功率场效应晶体管或绝缘栅双极晶体管）检测样品：半导体器件标准：GJB128A-97 《半导体分立器件试验方法》

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