中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：断态重复峰值电流IDRM 检测样品：闸流晶体管 标准：GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：断态重复峰值电流IDRM 检测样品：半导体分立器件外壳 标准：1、GJB 923A-2004 半导体分立器件外壳通用规范 2、SJ 20129-1992 金属镀覆层厚度测量方法 3、GB/T 16526-1996 封装引线间电容和引线负载电容测试方法

检测项：静态电流ID 检测样品：半导体集成电路 （数字集成电路） 标准：GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 第Ⅳ篇

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

西安电力电子技术研究所电力电子实验室

检测项：断态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：断态电压临界上升率 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：断态重复/不重复峰值电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：断态电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.2-1982

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

检测项：输出高阻态时低电平电流 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

南京市产品质量监督检验院

检测项：部分参数 检测样品：工业用插头插座和耦合器 标准：《工业用插头插座和耦合器 第1部分:通用要求》 GB/T 11918-2001

检测项：部分参数 检测样品：汽车电气设备 标准：《工业用插头插座和耦合器 第2部分:带插销和插套的电器附件的尺寸互换性要求》 GB/T 11919-2001

检测项：部分参数 检测样品：低压成套开关设备和控制设备 标准：《低压成套开关设备和控制设备 第1部分:型式试验和部分型式试验 成套设备》 GB 7251.1-2005

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

上海电气输配电试验中心有限公司

检测项：部分参数 检测样品：矿用隔爆型高压真空配电装置 标准：①《矿用隔爆型高压真空配电装置》JB8739—1998

检测项：部分参数 检测样品：矿用隔爆型移动变电站 标准：①《矿用隔爆型移动变电站》 GB8286—2005

检测项：承受短路的耐热能力 检测样品：电力 变压器 标准：①《电力变压器 第五部分： 承受短路的能力》 GB1094.5—2008 ②电力变压器 第一部分 总则 GB1094.1—1996 ③电力变压器 第一部分 总则

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：截止态漏极漏电流ID（off） 检测样品：电压基准 标准：SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范

检测项：导通态漏电流 IDS（on） 检测样品：电压基准 标准：SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范

检测项：截止态漏极漏电流ID（off） 检测样品：电压基准 标准：SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：截止态漏级漏电流ID（off） 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199

检测项：导通态漏电流IDS（on ） 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199

检测项：漏电流Id 检测样品：电感器 标准：GB/T16512-1996 电子设备用固定电感器总规范

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：断态电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法 SJ 2215.2-1982

检测项：断态电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器 测试方法 SJ 2215.1～2215.14 -1982中的 SJ2215.2-82、 SJ2215.4-82 、SJ2215.5-82 、SJ2215.7-82、 SJ2215.8-82、 SJ2215.9-82 、SJ2215.10-8

检测项：输出高阻态时低电平电流 检测样品：运算 (电压)放大器 标准：半导体集成电路 运算(电压)放大器 测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996第2.1、2.3、2.5、2.6、2.7、2.8、2.11条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：断态电流 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996

检测项：门极触发电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

检测项：漏源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

深圳电气科学研究所（深圳电气科学研究所中心实验室/深圳电气产品质量检测中心）

检测项：部分项目 检测样品：高压交流接触器 标准：GB/T 14808-2001 交流高压接触器和基于接触器的电动机起动器 IEC 60470:1999

检测项：部分项目 检测样品：高压交流接触器 标准：交流高压接触器和基于接触器的电动机起动器 GB/T 14808-2001 IEC 60470:1999

检测项：部分项目 检测样品：高压交流断路器 标准：GB 1984 高压交流断路器 IEC 62271-100:2008

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>