湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：密封性检查 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：外部目检 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

深圳市疾病预防控制中心

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价 检测样品：洁净室 标准：农业转基因生物食用安全性检验 第5部分 非期望效应检验（DB440300/T32.5-2007）

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价 检测样品：转基因生物检测 标准：农业转基因生物食用安全性检验 第5部分 非期望效应检验（DB440300/T32.5-2007）

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价 检测样品：洁净室 标准：农业转基因生物食用安全性要求和评价（SZJG 23-2006）

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VCEsat: 集电极与发射极间的饱和压降 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

检测项：hFE:共发射接法时静态电流放大系数 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

检测项：V(BR)DS*:崩潰電壓 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：集电极—发射极维持电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：放大倍数（hFEL） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：漏极电流 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：漏极截止电流 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：栅-源截止电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分： 场效应晶体管 GB/T4586-1994

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：栅源阈值电压VGS(th) 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体器件 第8部分：场效应晶体管

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：栅-源击穿电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：漏-源通态电阻 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：零栅压漏极电流 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

中讯邮电咨询设计院有限公司通信电源实验室

检测项：转换时间 检测样品：通信用交流不间断电源设备 标准：YD/T 1095-2008 通信用不间断电源—UPS YD/T 1051-2010 通信局 （站）电源系统总技术要求 GB/T 7260.3-2003 不间断电源设备（UPS）第3部分：确定性能的方法和实验要求 GB/T 14715-1993 信息

检测项：噪声 检测样品：通信用交流不间断电源设备 标准：YD/T 1095-2008 通信用不间断电源—UPS YD/T 1051-2010 通信局 （站）电源系统总技术要求 GB/T 7260.3-2003 不间断电源设备（UPS）第3部分：确定性能的方法和实验要求 GB/T 14715-1993 信息

检测项：保护性能 检测样品：通信用交流不间断电源设备 标准：YD/T 1095-2008 通信用不间断电源—UPS YD/T 1051-2010 通信局 （站）电源系统总技术要求 GB/T 7260.3-2003 不间断电源设备（UPS）第3部分：确定性能的方法和实验要求 GB/T 14715-1993 信息

机构所在地：河南省郑州市 更多相关信息>>