绝缘油击穿耐压试验检测实验

血糖及血糖相关参数分析仪器

简介

血糖及血糖相关参数分析仪器

简介

血糖及血糖相关参数分析仪器产品描述：通常由主机模块、电源模块、软件模块等组成。原理一般为电化学法、光反射技术、比色法等。不包含采血器具及适配试剂。

血糖及血糖相关参数分析仪器预期用途：与适配试剂配合使用，用于人体样本中待测物的定性和/或定量分析。

血糖及血糖相关参数分析仪器品名举例：血糖分析仪、血糖/尿酸/总胆固醇分析仪、血糖/总胆固醇分析仪、血糖血压测试仪、血糖与血脂监测仪、血糖血酮仪、血酮体测试仪、葡萄糖/乳酸分析仪、尿酸/血糖分析仪、血脂/血糖分析仪、血糖/胆固醇两用检测仪、血糖/胆固醇/甘油三酯/乳酸分析仪、血脂分析仪

血糖及血糖相关参数分析仪器管理类别：Ⅱ

血糖及血糖相关参数分析仪器相关指导原则：
1、血糖仪注册技术审查指导原则
2、自测用血糖监测系统注册申报资料指导原则

血糖及血糖相关参数分析仪器相关标准：
1、YY/T 1549-2017 生化分析仪用校准物下载2、YY/T 1662-2019 生化分析仪用质控物

血糖及血糖相关参数分析仪器相关检测项目：
1 . 外观《体外诊断检验系统自测用血糖检测系统通用技术条件： GB/T 19634-2021》
2 . 血糖仪和血糖试条测量重复性《体外诊断检验系统自测用血糖检测系统通用技术条件： GB/T 19634-2021》
3 . 血糖仪和血糖试条系统准确度《体外诊断检验系统自测用血糖检测系统通用技术条件： GB/T 19634-2021》
4 . 红细胞压积《体外诊断检验系统自测用血糖检测系统通用技术条件： GB/T 19634-2021》
5 . 血糖试条批间差《体外诊断检验系统自测用血糖检测系统通用技术条件： GB/T 19634-2021》
6 . 质控物质《体外诊断检验系统自测用血糖检测系统通用技术条件： GB/T 19634-2021》
7 . 血糖仪环境试验《体外诊断检验系统自测用血糖检测系统通用技术条件： GB/T 19634-2021》
8 . 血糖仪安全要求《体外诊断检验系统自测用血糖检测系统通用技术条件： GB/T 19634-2021》

收起百科↑ 最近更新：2023年08月07日

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中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

检测项：发射极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：漏源击穿电压检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

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中国石油化工股份有限公司北京燕山分公司树脂应用研究所树脂检测实验室

检测项：电气强度检测样品：塑料标准：固体电绝缘材料在商用电源频率下的介电击穿电压和介电强度的标准试验方法 ASTM D149-09（2013）

检测项：热延伸试验检测样品：塑料标准：电缆和光缆绝缘和护套材料通用试验方法第21部分：弹性体混合料专用试验方法-耐臭氧试验-热延伸试验-浸矿物油试验 GB/T 2951.21-2008

检测项：可燃性（氧指数）检测样品：塑料标准：易燃试验-第10-11部分：试验火焰-50W水平和垂直燃烧试验方法 IEC 60695-11-10:2013

机构所在地：北京市更多相关信息>>

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贵州航天计量测试技术研究所

检测项：击穿电压V(BR) 检测样品：光电耦合器标准：《半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：集电极-发射极击穿电压V（BR）EO 检测样品：晶体管标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

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上海精密计量测试研究所

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

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湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：击穿电压 V（BR）检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

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西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：发射极-基极击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：集电极-基极击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：集电极-发射极击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

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苏州巨峰电气绝缘系统股份有限公司检测中心

检测项：软化击穿检测样品：155级聚酯漆包铜圆线标准：绕组线试验方法第6部分：热性能　　 GB/T 4074.6-2008/IEC 60851-6:1996

检测项：击穿电压检测样品：180级聚酯亚胺漆包铜圆线标准：绕组线试验方法第5部分：电性能　　 GB/T 4074.5-2008/IEC 60851-5:2004

检测项：软化击穿检测样品：180级聚酯亚胺漆包铜圆线标准：绕组线试验方法第6部分：热性能　　 GB/T 4074.6-2008/IEC 60851-6:1996

机构所在地：江苏省苏州市更多相关信息>>

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金发科技股份有限公司分析测试中心

检测项：耐电压测试检测样品：电绝缘材料标准：在工业用电频率时实心电绝缘材料的介电击穿电压与介电强度的试验方法ASTM D149：2009（2013）

检测项：球压试验检测样品：电工电子产品标准：电工电子产品着火危险试验第21部分:非正常热球压试验 GB/T 5169.21-2006

检测项：灼热丝试验检测样品：电工电子产品标准：电工电子产品着火危险试验第10部分:灼热丝/热丝基本试验方法灼热丝装置和通用试验方法 GB/T5169.10-2006

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宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：发射极-基极击穿电压检测样品：场效应晶体管标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法方法3011

检测项：集电极-基极击穿电压检测样品：场效应晶体管标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法方法3011

检测项：集电极-发射极击穿电压检测样品：场效应晶体管标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法方法3011

机构所在地：湖北省宜昌市更多相关信息>>

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成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997

检测项：反向击穿电压检测样品：电容器标准：半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法SJ2215.7-1982

检测项：集电极-发射极反向击穿电压检测样品：电容器标准：半导体光耦合器集电极—发射极反向击穿电压的测试方法SJ2215.7-1982

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