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YY/T 1292.1-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第1部分：筛选试验 YY/T 1292.2-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第2部分：胚胎发育毒性试验 YY/T 1292.3-2016医疗器械生殖和发育毒性试验 第3部分：一代生殖毒性试验 YY/T 1292.4-2017医疗器械生殖和发育毒性试验 第4部分：两代生殖毒性试验 查看详情>>
YY/T 1292.1-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第1部分：筛选试验收起百科↑ 最近更新：2022年04月19日
检测项：射频综合场强 检测样品：电磁辐射环境 标准：电磁辐射防护规定 GB 8702-1988
检测项：无线电干扰场强 检测样品：空气 标准：高压架空送电线、变电站无线电干扰测量方法 GB/T 7349-2002
机构所在地：四川省成都市
检测项：射频电磁场键控载波 检测样品：工业、科学和医疗（ISM）射频设备 标准：工业、科学和医疗（ISM）射频设备电磁骚扰特性限值和测量方法 GB4824-2004,EN55011:2007
机构所在地：北京市
检测项：门极正向峰值功率/峰值电流/峰值电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994
检测项：反向重复/不重复峰值电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994
检测项：断态重复/不重复峰值电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994
机构所在地：陕西省西安市
检测项：初始化和防冲突 检测样品：金融集成电路（IC）卡及其受理设备 标准：ISO/IEC 7816-1不测：电磁干扰 GB/T 16649.1-2006不测：抗X射线和电磁干扰、电磁场、点压力
检测项：电特性 检测样品：金融集成电路（IC）卡及其受理设备 标准：ISO/IEC 7816-1不测：电磁干扰 GB/T 16649.1-2006不测：抗X射线和电磁干扰、电磁场、点压力
检测项：卡片操作过程 检测样品：金融集成电路（IC）卡及其受理设备 标准：ISO/IEC 7816-1不测：电磁干扰 GB/T 16649.1-2006不测：抗X射线和电磁干扰、电磁场、点压力
机构所在地：北京市
