您当前的位置:首页 > 谐波电流、电压波动和闪烁
YY/T 1292.1-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第1部分:筛选试验 YY/T 1292.2-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第2部分:胚胎发育毒性试验 YY/T 1292.3-2016医疗器械生殖和发育毒性试验 第3部分:一代生殖毒性试验 YY/T 1292.4-2017医疗器械生殖和发育毒性试验 第4部分:两代生殖毒性试验 查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2022年04月19日
检测项:电压变化、电压暂降和短时中断抗扰度 检测样品:移动用户终端及辅助设备 标准:IEC 61000-4-11-2004《电磁兼容 试验和测量技术电压暂降、短时中断和电压变化抗扰度试验》
检测项:电压变化、电压暂降和短时中断抗扰度 检测样品:移动用户终端及辅助设备 标准:EN 61000-4-11-2004《电磁兼容 试验和测量技术电压暂降、短时中断和电压变化抗扰度试验》
检测项:电压变化、电压暂降和短时中断抗扰度 检测样品:移动用户终端及辅助设备 标准:GB/T 17626.11-2008《电磁兼容 试验和测量技术电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验》
机构所在地:北京市
检测项:部分参数 检测样品:荧光灯用交流电子镇流器 标准:钨丝灯用直流/交流电子降压转换器 性能要求 GB/T 19654-2005 IEC 61047:2004 EN 61047:2004
检测项:部分参数 检测样品:钨丝灯用直流/交流电子降压转换器 标准:钨丝灯用直流/交流电子降压转换器 性能要求 GB/T 19654-2005 IEC 61047:2004 EN 61047:2004
检测项:部分参数 检测样品:荧光灯镇流器 标准:管形荧光灯用镇流器 性能要求 GB/T 14044-2008 IEC 60921:2004+A1:2006 EN 60921:2004+A1:2006
机构所在地:广东省佛山市
检测项:输出高电平时电源电流 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法 的基本原理
检测项:输入低电平电流 检测样品:半导体集成接口电路线电路 标准:SJ/T 10803-1996 半导体集成电路线电路测试方法的基本原理
检测项:输入钳位电压 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法 的基本原理
机构所在地:湖北省宜昌市
机构所在地:四川省成都市
机构所在地:陕西省西安市
机构所在地:北京市