贵州航天计量测试技术研究所

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：场效应晶体管 标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997

检测项：老炼和寿命试验（功率场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管 检测样品：半导体分立器件 标准：《半导体分立器件试验方法》GJB128A-1997

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

浙江省检验检疫科学技术研究院（浙江出入境检验检疫局检验检疫技术中心、浙江立德产品技术有限公司）

检测项：毛细效应 检测样品：纺织品 标准：纺织品毛细效应试验方法 FZ/T 01071-2008

检测项：毛细效应 检测样品：纺织品 标准：纺织品毛细效应试验方法 FZ/T 01071-2008

检测项：毛细效应 检测样品：纺织品 标准：机织物测试方法 - 厚度 JIS L 1096-1999 章节 8.5

机构所在地：浙江省杭州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：S参数 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

检测项：电压驻波比 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

检测项：特征频率fT 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：饱和压降 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：截止电流 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：直流放大倍数 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：密封性检查 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：外部目检 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

深圳市疾病预防控制中心

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价 检测样品：洁净室 标准：农业转基因生物食用安全性检验 第5部分 非期望效应检验（DB440300/T32.5-2007）

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价 检测样品：转基因生物检测 标准：农业转基因生物食用安全性检验 第5部分 非期望效应检验（DB440300/T32.5-2007）

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价 检测样品：洁净室 标准：农业转基因生物食用安全性要求和评价（SZJG 23-2006）

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VCEsat: 集电极与发射极间的饱和压降 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

检测项：hFE:共发射接法时静态电流放大系数 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

检测项：V(BR)DS*:崩潰電壓 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：集电极—发射极维持电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：放大倍数（hFEL） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：漏极电流 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：漏极截止电流 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：栅-源截止电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>