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检测项:输入偏置电流 检测样品:CMOS集成电路 标准:半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 GB/T 17940-2000
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机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:输入偏置电流 检测样品:TTL电路 标准:SJ/T 10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理
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检测项:输入电流 检测样品:电子产品、军用装备 标准:GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验 Fc:振动(正弦)
机构所在地:云南省昆明市 更多相关信息>>
检测项:输入偏置电流 检测样品:电压比较器 标准:SJ/T10805-2000半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
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机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:输入偏置电流 检测样品:电压比较器 标准:半导体集成电路电压比较器 测试方法的基本原理 GB/T6798-1996
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机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
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机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
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检测项:输入偏置电流 检测样品:电压比较器 标准:半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理GB/T6798-1996
检测项:输入失调电流 检测样品:电压比较器 标准:半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理GB/T6798-1996
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:输入偏置电流 检测样品:半导体集成电路电压比较器 标准:GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
检测项:输入偏置电流 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:输入偏置电流 检测样品:半导体集成电路电压比较器 标准:GB/T6798-1996 《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》
机构所在地:江苏省连云港市 更多相关信息>>
检测项:输入偏置电流 检测样品:半导体集成电路电压比较器 标准:半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2000
检测项:输入偏置电流温度系数 检测样品:半导体集成电路电压比较器 标准:半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2000
检测项:DAC数字输入高电平、数字输入低电平电压、数字输入高电平电流、数字输入低电平电流、基准电压 检测样品:集成电路A/D和D/A转换器 标准:集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006
检测项:输入偏置电流 检测样品:电工电子产品/核安全级电气设备 标准:电工电子产品环境试验 第2部分: 试验方法 试验A:低温 GB/T 2423.1-2008
检测项:输入偏置电流 检测样品:电工电子产品/核安全级电气设备 标准:(1)电工电子产品环境试验 第2部分: 试验方法 试验A:低温 GB/T 2423.1-2008
检测项:输入失调电流 检测样品:半导体集成电路运算放大器 标准:半导体集成电路 运算放大器空白详细规范 GB 9425-1988
机构所在地:北京市 更多相关信息>>