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YY/T 1292.1-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第1部分:筛选试验 YY/T 1292.2-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第2部分:胚胎发育毒性试验 YY/T 1292.3-2016医疗器械生殖和发育毒性试验 第3部分:一代生殖毒性试验 YY/T 1292.4-2017医疗器械生殖和发育毒性试验 第4部分:两代生殖毒性试验 查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2022年04月19日
检测项:栅源阈值电压 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测项:输入钳位电压 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法 的基本原理
检测项:输入钳位电压 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法 的基本原理
机构所在地:湖北省宜昌市
机构所在地:北京市
机构所在地:广东省广州市
检测项:电压波动和闪烁的限制 检测样品:继电器、继电保护及自动化设备(电磁兼容) 标准:GB 17625.1-2003电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A)
机构所在地:河南省许昌市
机构所在地:浙江省杭州市