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检测项:集电极-基极击穿电压Vcbo 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章
检测项:集电极 –基极截止电流Icbo 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章
机构所在地:湖北省武汉市
检测项:集电极—基极击穿电压 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:集电极—基极击穿电压 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
检测项:集电极-基极截止电流 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
机构所在地:江苏省连云港市
检测项:集电极-基极截止电流 检测样品:低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准:低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996
检测项:集电极-基极 截止电流 检测样品:低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准:低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996
检测项:集电极-基极截止电流 检测样品:低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准:低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996
机构所在地:山东省济南市