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光耦合器中发射极-基极击穿电压V(BR)EBO检测

  • 样品名称:光耦合器

  • 检测项目:发射极-基极击穿电压V(BR)EBO

  • 认可资质:CNAS CMA

  • 检测标准:1、GB 12565-1990 半导体器件光电子器件分规范 2、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分:光电子器件测试方法

  • 所属行业分类:

  • 标签: 发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 光耦合器

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