半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)中漏-源击穿电压V(BR)DSS检测测试_嘉峪检测网AnyTesting.com

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检测机构：
国家电子电器产品检测中心
姓名：
刘工
联系电话：
010-68215798
服务类型：
第三方商业检测机构
所在地区：

嘉峪客服中心：400-818-0021

半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)中漏-源击穿电压V(BR)DSS检测

样品名称：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)
检测项目：漏-源击穿电压V(BR)DSS
认可资质：其它
检测标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 3407
服务地点：全国
适用范围：电子电气
标签：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET) 漏-源击穿电压V(BR)DSS 半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 3407

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