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检测项:硅片直径测量 检测样品:微电子材料 标准:GB/T14140-2009 硅片直径测量方法
检测机构:国家材料分析检测中心 更多相关信息>>
检测项:氧含量 检测样品:光伏硅片 标准:硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1557-2018
检测机构:国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>
检测项:氧含量 检测样品:硅片 标准:《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》GB/T 1557-2006
检测项:碳含量 检测样品:硅片 标准:《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》GB/T 1558-2009
检测项:电阻率 检测样品:硅片 标准:《硅单晶电阻率测定方法》GB/T 1551-2009
机构所在地:浙江省衢州市 更多相关信息>>
检测项:电阻率 (电阻系数) 检测样品:半导体材料 标准:硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 GB/T 6617-2009
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:III-V族杂质含量 检测样品:晶体硅 标准:《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法》 GB/T 6616-2009
检测项:直径及允许偏差 检测样品:晶体硅 标准:《硅片直径测量方法》 GB/T 14140-2009
检测项:径向电阻率变化测量 检测样品:晶体硅 标准:《硅片径向电阻率变化的测量方法》 GB/T 11073-2007
机构所在地:江苏省连云港市 更多相关信息>>