电缆及附件试验方法中电缆燃烧试验的检测

检测项：电缆燃烧试验 检测样品：电缆及附件试验方法 标准：IEC 60332-1-3:2004《电缆和光缆在火焰条件下的燃烧试验 第1-3部分：单根绝缘电线电缆火焰垂直蔓延试验 测定燃烧的滴落(物)/微粒的试验方法》

检测机构：国家电线电缆质量监督检验中心 更多相关信息>>

复合材料中干固体绝缘材料耐电弧的检测

检测项：干固体绝缘材料耐电弧 检测样品：复合材料 标准：GB/T1411-2002/IEC61621:1997《干固体绝缘材料 耐高电压、小电流电弧放电的试验》

检测机构：玻璃钢制品质量检验中心 更多相关信息>>

食品中脱乙酰比沙可啶的检测

检测项：脱乙酰比沙可啶 检测样品：食品 标准：BJS202209 食品中双醋酚丁等19种化合物的测定

检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值（h21E） 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：电流传输比CTR 检测样品：晶闸管 标准：GB/T15291－94《半导体器件 第6部分 晶闸管》

检测项：部分项目 检测样品：家用和类似用途电自动控制器（安全） 标准：GB 14536.1-2008 家用和类似用途电子动控制器第1部分:通用要求 IEC 60730-1:2003 家用和类似用途电子动控制器第1部分:通用要求 E

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值h21E 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值h21E 检测样品：双极型晶体管 标准：1、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管 2、GJB 2650-1996 微波元器件性能测试方法

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比h21E 检测样品：三极管 标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：电流传输比CTR 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：正向阈值电压下的输入电流IT+ 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：SJ/T10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：洛氏硬度 检测样品：金属材料和金属制品 标准：金属洛氏硬度试验 第1部分：试验方法(A、 B、 C、 D、 E、F、G、H、K、 N、T标尺) GB/T 230.1-2009

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

山东省电子信息产品检验院（中国赛宝（山东）实验室、山东省网络与信息安全测评中心）

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值 检测样品：低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准：低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值 检测样品：低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准：低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值 检测样品：低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准：低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996

机构所在地：山东省济南市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二四研究所计量测试中心

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章2.1条 第Ⅳ章2.2条 第Ⅳ章3条 第Ⅳ章4.2条 第Ⅳ

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条

检测项：电流传输比 检测样品：光电 标准：GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

西安东风仪表厂可靠性试验检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-97

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>