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脱细胞真皮基质产品描述:通常由异种或同种异体皮肤组织经一系列处理后制备的脱细胞真皮基质制成,其主要成分为胶原蛋白。不含活细胞成分。 脱细胞真皮基质预期用途:用于真皮层缺损的创面修复,引导患者皮肤组织缺损的修复和再生。 脱细胞真皮基质品名举例:猪皮脱细胞真皮基质、脱细胞异体真皮基质 脱细胞真皮基质管理类别:Ⅲ 脱细胞真皮基质相关标准: ...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年04月06日
检测项:S参数 检测样品:场效应晶体管 标准:1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分:场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件
检测项:电压驻波比 检测样品:场效应晶体管 标准:1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分:场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件
检测项:特征频率fT 检测样品:场效应晶体管 标准:1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分:场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件
机构所在地:河北省石家庄市
检测项:发射极-基极截止电流IEBO 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
检测项:基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
机构所在地:上海市
检测项:密封性检查 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:外部目检 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:栅源极截止(漏泄)电流IGSS 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
机构所在地:湖北省孝感市
检测项:放大倍数(hFEL) 检测样品:场效应管 标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
检测项:集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO) 检测样品:场效应管 标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
检测项:发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO) 检测样品:场效应管 标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
机构所在地:陕西省西安市