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温度冲击试验简介 热冲击试验(Thermal Shock Testing)常被称作温度冲击试验(Temperature Shock Testing)或者温度循环(Temperature Cycling)、高低温冷热冲击试验。温度冲击按照GJB 150.5A-2009 3.1的说法,是装备周围大气温度的急剧变化,温度变化率大于10度/min,即为温度冲击。 温度冲击...查看详情>>
上面3种试验,1、2以空气作为介质,第3种以液体(水或其它液体)作为介质。1、2的转换时间较长,3的转换时间较短。
收起百科↑ 最近更新:2017年07月05日
检测项:软启动电流(软启动部分)ISS 检测样品:脉宽调制器 标准:《半导体集成电路JW1524、1525、1525A、1526、1527、1527A)型脉宽调制器详细规范》SJ 20294-1993
机构所在地:贵州省贵阳市
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:CMOS电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
机构所在地:四川省成都市
检测项:输入电流谐波成分 检测样品:高频开关电源 标准:YD/T 1058-2007 通信用高频开关电源系统 YD/T 731-2008 通信用高频开关整流器
机构所在地:广东省广州市
检测项:反向漏电流 检测样品:二极管 标准:GB/T4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
检测项:反向漏电流 检测样品:二极管 标准:GB/T4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
检测项:输出高电平时电源电流 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法 的基本原理
机构所在地:湖北省宜昌市