中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：源电压效应 检测样品：车载稳压电源 标准：GJB3836—99车载稳压电源通用规范

检测项：源效应 检测样品：电器安全 标准：工业自动化仪表绝缘电阻、绝缘强度技术要求和实验方法GB/T15479-1995

检测项：负载效应 检测样品：车载稳压电源 标准：GJB3836—99车载稳压电源通用规范

机构所在地：河南省郑州市 更多相关信息>>

北京振兴计量测试研究所

检测项：栅-源截止电压 检测样品：晶体管 标准：半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

湖南省电子产品检测分析所/中国赛宝（湖南）实验室/湖南省软件评测中心

检测项：源电压效应 检测样品：稳压 电源※ 标准：抗干扰型交流稳压电源测试方法 SJ/T 10542-1994

检测项：源频率效应 检测样品：稳压 电源※ 标准：抗干扰型交流稳压电源测试方法 SJ/T 10542-1994

检测项：源电压阶跃时输出电压最大过冲幅值 检测样品：稳压 电源※ 标准：抗干扰型交流稳压电源测试方法 SJ/T 10542-1994

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

北京市电子产品质量检测中心

检测项：源电压效应 检测样品：抗干扰型交流稳压电源 标准：抗干扰型交流稳压电源通用技术条件 SJ/T 10541—1994 抗干扰型交流稳压电源测试方法 SJ/T 10542—1994

检测项：源频率效应 检测样品：抗干扰型交流稳压电源 标准：抗干扰型交流稳压电源通用技术条件 SJ/T 10541—1994 抗干扰型交流稳压电源测试方法 SJ/T 10542—1994

检测项：源电压范围 检测样品：抗干扰型交流稳压电源 标准：抗干扰型交流稳压电源通用技术条件 SJ/T 10541—1994 抗干扰型交流稳压电源测试方法 SJ/T 10542—1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国工程物理研究院计量测试中心

检测项：源电压效应 检测样品：交流稳压电源 标准：SJ/ T 10541-1994 抗干扰型交流稳压电源通用技术条件 SJ/T 10542-1994

检测项：源电压效应 检测样品：交流稳压电源 标准：SJ/ T 10541-1994 《抗干扰型交流稳压电源通用技术条件》 SJ/T 10542-1994 《 抗干扰型交流稳压电源通用测试方法 》

检测项：源效应 检测样品：低压直流电源 标准：SJ 20365-1993 《低压直流电源通用 规范》

机构所在地：四川省绵阳市 更多相关信息>>

北京无线电计量测试研究所

检测项：源电压效应 检测样品：交流稳压电源 标准：抗干扰型交流稳压电源通用技术条件 SJ/T10541-1994 抗干扰型交流稳压电源通用测试方法 SJ/T10542-1994

检测项：谐波电压 检测样品：低失真源 标准：低频信号发生器通用测试方法 GB12180-1990

检测项：负载效应 检测样品：防静电鞋、导电鞋 标准：防静电鞋、导电鞋技术要求 GB4385-1995

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：栅-源截止电压VGSoff 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

检测项：栅-源阈值电压VGS(to） 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

检测项：漏-源电压VDSon 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：栅源阈值电压（VGS(th)） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

深圳中航技术检测所

检测项：源电压效应 检测样品：固定电阻器 标准：GB/T5729-2003电子设备用固定电阻器 第一部分：总规范

检测项：源效应 检测样品：接地导通电阻测试仪 标准：SJ/T 11386-2008接地导通电阻测试仪通用规范

检测项：负载效应 检测样品：接地导通电阻测试仪 标准：SJ/T 11386-2008接地导通电阻测试仪通用规范

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：栅-源截止电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：漏-源击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：高温反偏 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>