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检测项：集电极--基极击穿电压BVCBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》
检测项：发射极--基极击穿电压BVEBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》
检测项：集电极--发射极击穿电压BVCEO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：部分项目 检测样品：交流稳压电源 标准：交流输出稳定电源 JB/T 7397-1994
检测项：部分项目 检测样品：直流稳压稳流电源 标准：低压电气直流电源设备的特性 GB/T 17478-2004
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：场效应晶体管 标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997
检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997
检测项：截止态源极漏电流IS 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993
机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项：击穿电压 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994
检测项：阈值电压 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994
检测项：导通电压 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件 第9部分：场效应晶体管
检测项：栅-源阈值电压VGS(th) 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：SJ/T10738-1996 半导体集成电路运算（电压） 放大器测试方法的基本原理
机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项：源效应 检测样品：多功能校准源 标准：GB/T 15637-1995 数字多用表校准仪通用技术条件
检测项：部分项目 检测样品：并网逆变电源 标准：并网光伏逆变器防孤岛效应测试 EN 62116:2011 IEC 62116:2008
检测项：防孤岛效应保护 检测样品：并网逆变电源 标准：并网光伏发电专用逆变器技术条件CGC/GF004:2011 (CNCA CTS 0004-2009A)
检测项：源效应 检测样品：通信用高频开关整流器 标准：通信用高频开关整流器 YD/T 731-2008
检测项：负载效应 检测样品：通信用高频开关整流器 标准：通信用高频开关整流器 YD/T 731-2008
检测项：负载效应恢复时间 检测样品：通信用高频开关整流器 标准：通信用高频开关整流器 YD/T 731-2008
机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>
检测项：源效应 检测样品：通信用变换稳压型太阳能电源控制器 标准：YD/T 2321-2011 通信用变换稳压型太阳能电源控制器技术要求和试验方法
检测项：源效应（电网调整率） 检测样品：通信用高频开关电源设备 标准：YD/T 731-2008 通信用高频开关整流器 GB/T 16821-2006 通信用电源设备通用实验方法 YD/T 1184-2002 接入网电源技术要求
机构所在地：河南省郑州市 更多相关信息>>
检测项：负载效应 检测样品：多功能标准源 标准：数字多用表校准仪通用技术条件 GB/T15637-1995
检测项：交流电压 检测样品：多功能标准源 标准：数字多用表校准仪通用技术条件 GB/T15637-1995
