钢板中C、Mn、P、Si、S、Ni、Cr、Mo、Cu、N的检测

检测项：C、Mn、P、Si、S、Ni、Cr、Mo、Cu、N 检测样品：钢板 标准：碳素钢和中低合金钢火花源原子发射光谱分析方法 GB/T 4336-2002 不锈钢 多元素含量的测定 火花放电原子发射光谱法(常规法) GB/T 11170-2008

检测机构： 更多相关信息>>

动物源性食品中磺胺嘧啶（SDZ）的检测

检测项：磺胺嘧啶（SDZ） 检测样品：动物源性食品 标准：动物源性食品中磺胺类药物残留量的测定 高效液相色谱-质谱质谱法,GB/T 21316-2007

检测机构：中国航天科技集团公司检测中心 更多相关信息>>

电机绕组引接软电缆和软线中热效应的检测

检测项：热效应 检测样品：电机绕组引接软电缆和软线 标准：JB/T 6213.1-2006《电机绕组引接软电缆和软线 第1部分：一般规定》

检测机构：国家电线电缆质量监督检验中心 更多相关信息>>

植物源性食品中禾草灵的检测

检测项：禾草灵 检测样品：植物源性食品 标准：GB23200.15-2016 食品安全国家标准 食用菌中503种农药及相关化学品残留量的测定 气相色谱-质谱法

检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>

湖南省电子产品检测分析所/中国赛宝（湖南）实验室/湖南省软件评测中心

检测项：源频率效应 检测样品：稳压 电源※ 标准：抗干扰型交流稳压电源测试方法 SJ/T 10542-1994

检测项：源电压效应 检测样品：稳压 电源※ 标准：抗干扰型交流稳压电源测试方法 SJ/T 10542-1994

检测项：负载效应 检测样品：稳压 电源※ 标准：抗干扰型交流稳压电源测试方法 SJ/T 10542-1994

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

北京市电子产品质量检测中心

检测项：源频率效应 检测样品：抗干扰型交流稳压电源 标准：抗干扰型交流稳压电源通用技术条件 SJ/T 10541—1994 抗干扰型交流稳压电源测试方法 SJ/T 10542—1994

检测项：源电压效应 检测样品：抗干扰型交流稳压电源 标准：抗干扰型交流稳压电源通用技术条件 SJ/T 10541—1994 抗干扰型交流稳压电源测试方法 SJ/T 10542—1994

检测项：负载效应 检测样品：抗干扰型交流稳压电源 标准：抗干扰型交流稳压电源通用技术条件 SJ/T 10541—1994 抗干扰型交流稳压电源测试方法 SJ/T 10542—1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：栅-源截止电压VGS(off) 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：栅-源阈值电压VGS(TO) 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

上海市计量测试技术研究院（华东国家计量测试中心/中国上海测试中心）

检测项：部分项目 检测样品：交流稳压电源 标准：交流输出稳定电源 JB/T 7397-1994

检测项：部分项目 检测样品：直流稳压稳流电源 标准：低压电气直流电源设备的特性 GB/T 17478-2004

检测项：部分项目 检测样品：交流稳压电源 标准：交流输出稳定电源 JB/T 7397-1994

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：漏--源短路时的栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：栅--源击穿电压BVGS 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：漏--源通态电阻RDSon 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：漏－源通态电压（饱和电压）VDS(ON) 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：漏-源短路时， 栅极截止电流 栅极漏泄电流 IGSS 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：栅－源电压为零时的漏极电流（IDSS） 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>