中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅-源短路时的漏极电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：栅-源短路时的漏极电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 》

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅源阈值电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：漏源通态电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：漏源击穿电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：静态漏-源通态电阻 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997

检测项：截止态源极漏电流IS 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：场效应晶体管 标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：栅-源阈值电压VGS(th) 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：漏源极截止电流IDSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：栅-源截止电压VGSoff 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：静态漏—源通态电阻 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：栅源阈值电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：栅-源截止电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：静态漏-源通态电阻 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分： 场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：电磁辐射暴露 检测样品：军用设备、分系统和系统 标准：电磁辐射暴露限值和测量方法 GJB5313-2004

检测项：屏蔽效能 检测样品：屏蔽暗室 标准：军用电子设备方舱通用规范 GJB870-1990

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：栅源阈值电压VGS(th) 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：电容量C 检测样品：固定电容器 标准：1.GJB4157-2001高可靠瓷介固定电容器总规范 2.GB/T2693-2001电子设备用固定电容器总规范 3.GJB192A-1998

检测项：电容量C 检测样品：钽电容 标准：1.GB/T14121-1993电子设备用固定电容器第3部分：分规范：片状钽固定电容器 2.GJB63B-2001有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范

机构所在地：北京市 更多相关信息>>