场效应管中漏--源断态电阻RDSon的检测

检测项：漏--源断态电阻RDSon 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》 GB/T4586-1994

检测机构：国家机械电子产品环境与可靠性质量监督检验中心 更多相关信息>>

油品中击穿电压的检测

检测项：击穿电压 检测样品：油品 标准：GB/T 507-2002(2004) 绝缘油击穿电压测定法

检测机构：北京优测科技发展有限公司 更多相关信息>>

饮料、饮品中氨基酸态氮（氨基态氮）的检测

检测项：氨基酸态氮（氨基态氮） 检测样品：饮料、饮品 标准：饮料通用分析方法,GB/T 12143-2008/5(甲醛值法）

检测机构：中国航天科技集团公司检测中心 更多相关信息>>

换位导线中耐直流电压的检测

检测项：耐直流电压 检测样品：换位导线 标准：JB/T 6758.1-2007《换位导线 第1部分：一般规定》

检测机构：国家电线电缆质量监督检验中心 更多相关信息>>

复合材料中干固体绝缘材料耐电弧的检测

检测项：干固体绝缘材料耐电弧 检测样品：复合材料 标准：GB/T1411-2002/IEC61621:1997《干固体绝缘材料 耐高电压、小电流电弧放电的试验》

检测机构：玻璃钢制品质量检验中心 更多相关信息>>

信息技术设备中电压波动和闪烁的检测

检测项：电压波动和闪烁 检测样品：信息技术设备 标准：GB17625.2-2007 电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制

检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：漏－源通态电压（饱和电压）VDS(ON) 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：漏－源通态电阻rDS(ON) 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T 15651.2－2003《半导体器件分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性》

检测项：3407 漏-源击穿电压 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：漏-源通态电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：漏-源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：漏-源通态电阻 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：漏-源通态电压 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：GJB128A-1997半导体分立器件试验方法 方法3407

检测项：漏-源通态电阻 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：漏-源通态电阻 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：漏源通态电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：漏源击穿电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：电压比较器、运算放大器 标准：《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》GB/T6798-1996 《半导体器件 集成电路第3部分：模拟集成电路》GB/T17940-2000

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>