直流标准电压源中计量校准的检测

检测项：计量校准 检测样品：直流标准电压源 标准：JJG445-1986《直流标准电压源检定规程》

检测机构：杭州远方检测校准技术有限公司 更多相关信息>>

场效应管中漏--源短路时的栅极截止电流IGSS的检测

检测项：漏--源短路时的栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》 GB/T4586-1994

检测机构：国家机械电子产品环境与可靠性质量监督检验中心 更多相关信息>>

电磁辐射中X-γ辐射剂量率的检测

检测项：X-γ辐射剂量率 检测样品：电磁辐射 标准：含密封源仪表的放射卫生防护要求，GBZ 125-2009

检测机构：环科院检测中心 更多相关信息>>

油品中击穿电压的检测

检测项：击穿电压 检测样品：油品 标准：GB/T 507-2002(2004) 绝缘油击穿电压测定法

检测机构：北京优测科技发展有限公司 更多相关信息>>

动物源性食品中磺胺嘧啶（SDZ）的检测

检测项：磺胺嘧啶（SDZ） 检测样品：动物源性食品 标准：动物源性食品中磺胺类药物残留量的测定 高效液相色谱-质谱质谱法,GB/T 21316-2007

检测机构：中国航天科技集团公司检测中心 更多相关信息>>

换位导线中耐直流电压的检测

检测项：耐直流电压 检测样品：换位导线 标准：JB/T 6758.1-2007《换位导线 第1部分：一般规定》

检测机构：国家电线电缆质量监督检验中心 更多相关信息>>

复合材料中干固体绝缘材料耐电弧的检测

检测项：干固体绝缘材料耐电弧 检测样品：复合材料 标准：GB/T1411-2002/IEC61621:1997《干固体绝缘材料 耐高电压、小电流电弧放电的试验》

检测机构：玻璃钢制品质量检验中心 更多相关信息>>

信息技术设备中电压波动和闪烁的检测

检测项：电压波动和闪烁 检测样品：信息技术设备 标准：GB17625.2-2007 电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制

检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：漏-源电压VDSon 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

检测项：漏-源电压VDSon 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

检测项：漏-源短路时，栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：漏源通态电压VDSon 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

检测项：漏源通态电阻RDSon 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

检测项：栅源阈值电压VGS(th) 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体器件 第8部分：场效应晶体管

机构所在地：北京市 更多相关信息>>