绝缘栅型的栅极漏泄电流检测实验

防散射滤线栅

简介

防散射滤线栅

简介

防散射滤线栅产品描述：通常由铅条、介质等组成。放置于影像接收面之前，以减少辐射到影像接收面上的散射辐射，从而改善X射线影像对比度的一种装置。

防散射滤线栅预期用途：配合X射线机使用，用于增加X射线影像的对比度。

防散射滤线栅品名举例：防散射滤线栅、乳腺防散射滤线栅

防散射滤线栅管理类别：Ⅱ

防散射滤线栅相关指导原则：
1、含儿科应用的医用诊断X射线设备注册审查指导原则
2、医用诊断X射线管组件注册技术审查指导原则

防散射滤线栅相关标准：
1 . GB 9706.1-2007 医用电气设备第1部分：安全通用要求
2 . GB 9706.11-1997 医用电气设备第2部分：医用诊断X射线源组件和X射线管组件安全专用要求
3 . GB 9706.12-1997 医用电气设备第1部分：安全通用要求并列标准：诊断X射线设备辐射防护通用要求
4 . GB/T 10151—2008 医用X射线设备高压电缆插头、插座技术条件
5 . YY/T 0291-2016 医用X射线设备环境要求及试验方法
6 . YY/T 0609-2018 医用诊断X射线管组件通用技术条件

防散射滤线栅相关检测项目：
1 . 物理特性的测量与确定《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
2 . 测量方法和布置《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
3 . 物理特性《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
4 . 对防散射滤线栅的要求《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
5 . 制造误差《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
6 . 应用极限的确定《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
7 . 特性的准确度《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
8 . 标记与随附文件《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
9 . 符合性声明《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》

收起百科↑ 最近更新：2023年03月14日

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中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：绝缘栅型的栅极漏泄电流检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：结栅型的栅极截止电流检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：反向峰值电流检测样品：双极型晶体管标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管

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北京尊冠科技有限公司

检测项：漏-源短路时，栅极截止电流栅极漏泄电流 IGSS 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T 4586－94《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》

检测项：栅－源电压为零时的漏极电流（IDSS）检测样品：场效应晶体管标准：GB/T 4586－94《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》

检测项：规定栅－源电压时的漏极电流（ID）检测样品：场效应晶体管标准：GB/T 4586－94《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》

机构所在地：北京市更多相关信息>>

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中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：栅极漏泄电流检测样品：晶闸管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：栅极漏电流检测样品：场效应晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：零栅压漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

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贵州航天计量测试技术研究所

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997

检测项：老炼和寿命试验（功率场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管检测样品：半导体分立器件标准：《半导体分立器件试验方法》GJB128A-1997

检测项：静态电源电流ID 检测样品：脉宽调制器标准：《半导体集成电路JW1524、1525、1525A、1526、1527、1527A)型脉宽调制器详细规范》SJ 20294-1993

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湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：栅-源截止电压VGSoff 检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：栅-源阈值电压VGS（th）检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

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北京振兴计量测试研究所

检测项：栅源短路时的漏极电流检测样品：晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

检测项：栅-源阈值电压检测样品：晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

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吉林省电力科学研究院有限公司

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检测项：直流漏泄电流及直流参考电压检测样品：接地装置标准：接地装置特性参数测量导则 DL/T 475-2006

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中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：漏--源短路时的栅极截止电流IGSS 检测样品：晶体二极管标准：GB4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

检测项：零栅压时的漏极电流IDDS 检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管》

检测项：集电极--基极截止电流ICBO 检测样品：晶体三极管标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管

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中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：漏--源短路时的栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：零栅压时的漏极电流IDDS 检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：输入偏置电流IIB 检测样品：晶体三极管标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管

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沈阳产品质量监督检验院（沈阳产品质量监督检验研究院、沈阳安全生产监督检验研究院）

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检测项：绝缘电阻测量检测样品：一般兼矿用本质安全型安全栅标准：一般兼矿用本质安全型安全栅 MT706-2007

检测项：弹性密封圈材料老化试验检测样品：一般兼矿用本质安全型安全栅标准：一般兼矿用本质安全型安全栅 MT706-2007

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